SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 26350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.02 грн |
| 6000+ | 12.82 грн |
| 9000+ | 11.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SIA429DJT-T1-GE3 за ціною від 14.18 грн до 48.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V |
на замовлення 26350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70 |
на замовлення 20675 шт: термін постачання 881-890 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIA429DJT-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товар відсутній |