![SiA469DJ-T1-GE3 SiA469DJ-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2587/PowerPak SC-70-6 Single.jpg)
SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
![sia469dj.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.59 грн |
6000+ | 7.93 грн |
9000+ | 7.14 грн |
30000+ | 6.6 грн |
75000+ | 6.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SiA469DJ-T1-GE3 за ціною від 6.69 грн до 312 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 5695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIA469DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6 Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SiA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V |
на замовлення 172784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SiA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 153660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIA469DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 12 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 15.6 Bauform - Transistor: PowerPAK SC70 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SiA469DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SiA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
SIA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SIA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SIA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |