![SIA416DJ-T1-GE3 SIA416DJ-T1-GE3](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/11/8/13/50/29/441856/vsh_/manual/sia444dnew.jpg)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 15.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA416DJ-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SIA416DJ-T1-GE3 за ціною від 14.97 грн до 53.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V |
на замовлення 3896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm |
на замовлення 14920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.3A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 83mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.3A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 83mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |