на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 17.25 грн |
| 100+ | 16.62 грн |
| 250+ | 15.37 грн |
| 500+ | 14.74 грн |
| 1000+ | 14.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIA466EDJ-T1-GE3 за ціною від 15.11 грн до 49.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA466EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA466EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 2587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA466EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA466EDJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 6625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA466EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V |
на замовлення 6618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA466EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA466EDJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA466EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIA466EDJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 25A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 19.2W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIA466EDJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 25A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 19.2W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |