SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.1 грн |
| 6000+ | 12.89 грн |
| 9000+ | 11.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 6.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SIA913ADJ-T1-GE3 за ціною від 11.47 грн до 45.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIA913ADJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
на замовлення 17024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA913ADJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V |
на замовлення 5964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIA913ADJ-T1-GE3 |
|
на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SIA913ADJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIA913ADJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -4.5A; 6.5W Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 6.5W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIA913ADJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -4.5A; 6.5W Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 6.5W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |