Продукція > VISHAY > SIA400EDJ-T1-GE3
SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay

sia400edj.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIA400EDJ-T1-GE3 за ціною від 11.03 грн до 41.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia400edj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.17 грн
6000+ 12.95 грн
9000+ 12.03 грн
30000+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia400edj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 151951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.97 грн
10+ 34.61 грн
100+ 24.05 грн
500+ 17.63 грн
1000+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sia400edj-66318.pdf MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 10690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia400edj.pdf SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній