Продукція > R65

PLCC68

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6501AQ

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6501AQQ

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6501JC

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502

01+ DIP

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502-11

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502-40

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502AP

DIP

на замовлення 892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502AP

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502BP

DIP

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502END3TL1

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

R6502END3TL1

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.77 грн
10+	66.24 грн
25+	62.9 грн
100+	48.48 грн
250+	45.32 грн
500+	40.05 грн
1000+	31.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

R6502END3TL1

MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.8 грн
10+	67.66 грн
100+	45.71 грн
500+	38.75 грн
1000+	31.58 грн
2500+	29.74 грн
5000+	28.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

R6502P

02+ DIP;

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502P

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502P2

на замовлення 311 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6503

DIP

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6503

03+ DIP40

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6503-13

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6503AP

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6504AP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6504AP

03+ DIP28

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.8 грн
13+	62.58 грн

Мінімальне замовлення: 10

R6504END3TL1

R6504END3TL1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6504END3TL1

MOSFET 650V 4A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.68 грн
10+	102.84 грн
100+	69.34 грн
500+	58.76 грн
1000+	47.83 грн
2500+	45 грн
5000+	42.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 1246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.45 грн
10+	98.92 грн
100+	67.24 грн
500+	50.37 грн
1000+	46.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504ENJTL

MOSFET Nch 650V 4A Power MOSFET. R6504ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.45 грн
10+	128.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504ENJTL

Description: ROHM - R6504ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6504ENJTL

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.62 грн
12+	69.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

R6504ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.13 грн
10+	154.26 грн
100+	105.75 грн
250+	103.62 грн
500+	89.42 грн
1000+	71.68 грн
5000+	70.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504ENXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.97 грн
50+	133.5 грн
100+	109.84 грн
500+	87.23 грн
1000+	74.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6504KND3TL1

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 4A Power MOSFET.

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.09 грн
10+	93.04 грн
100+	62.74 грн
500+	53.23 грн
1000+	43.36 грн
2500+	40.74 грн
5000+	38.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.9 грн
10+	100.32 грн
20+	95.54 грн
50+	71.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.71 грн
10+	84.28 грн
100+	65.51 грн
500+	52.11 грн
1000+	42.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.45 грн
10+	128.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504KNJTL

Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66.88 грн
14+	58.52 грн

Мінімальне замовлення: 12

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6504KNJTL

MOSFET Nch 650V 4A Power MOSFET. R6504KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

R6504KNJTL

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6504KNJTL

R6504KNJTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

R6504KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.13 грн
10+	154.26 грн
100+	105.75 грн
250+	103.62 грн
500+	89.42 грн
1000+	75.94 грн
2500+	71.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504KNXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.43 грн
50+	132.14 грн
100+	108.73 грн
500+	86.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504P

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6505-00

R6505-00 Plastic Pegs

товару немає в наявності

R6505-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCRW MNT 5.5MM

товару немає в наявності

R6505-00

Standoffs & Spacers 5.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6505AP

01+ DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6505P

04+ DIP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507-15

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507AP

04+ DIP

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 2477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.39 грн
10+	118.66 грн
100+	81.52 грн
500+	61.55 грн
1000+	56.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507END3TL1

MOSFET 650V 7A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 2486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.9 грн
10+	118.34 грн
100+	82.33 грн
250+	80.91 грн
500+	69.34 грн
1000+	58.84 грн
2500+	55.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.59 грн
10+	93.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

товару немає в наявності

R6507ENJTL

MOSFET Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.16 грн
10+	230.16 грн
100+	163.94 грн
500+	139.1 грн
1000+	117.1 грн
2000+	111.43 грн
5000+	107.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507ENJTL

Description: ROHM - R6507ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.98 грн
10+	113.05 грн
25+	93.15 грн
100+	77.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.62 грн
10+	200.79 грн
100+	164.54 грн
500+	131.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507ENXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.73 грн
50+	75.01 грн
100+	59.44 грн
500+	47.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

R6507ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.94 грн
10+	178.74 грн
100+	122.78 грн
250+	119.23 грн
500+	103.62 грн
1000+	88.71 грн
2500+	83.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507GD

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507GD

DIP

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.32 грн
500+	43.91 грн
1000+	37.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6507KND3TL1

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 7A Power MOSFET.

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.68 грн
10+	104.47 грн
100+	72.39 грн
250+	69.34 грн
500+	60.47 грн
1000+	51.81 грн
2500+	49.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 2478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.23 грн
10+	94.63 грн
100+	75.36 грн
500+	59.84 грн
1000+	50.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.8 грн
13+	63.53 грн

Мінімальне замовлення: 10

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

товару немає в наявності

R6507KNJTL

Description: ROHM - R6507KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.98 грн
10+	113.05 грн
25+	93.15 грн
100+	77.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.62 грн
10+	200.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507KNJTL

MOSFET Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.16 грн
10+	230.16 грн
100+	163.94 грн
500+	139.1 грн
1000+	117.1 грн
2000+	111.43 грн
5000+	107.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

товару немає в наявності

R6507KNXC7G

MOSFET 650V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	167.26 грн
10+	149.36 грн
50+	122.07 грн
100+	103.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.54 грн
10+	170.26 грн
100+	136.83 грн
500+	105.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507KNXC7G

Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.27 грн
10+	111.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

R6507P

04+ DIP

на замовлення 333 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507P

DIP

на замовлення 2222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 4430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.89 грн
10+	132.18 грн
100+	91.36 грн
500+	69.31 грн
1000+	64.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509END3TL1

MOSFET 650V 9A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 6990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	166.43 грн
10+	136.3 грн
100+	94.39 грн
250+	90.13 грн
500+	80.2 грн
1000+	67.99 грн
2500+	64.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	160.03 грн
10+	144.1 грн

Мінімальне замовлення: 5

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6509END3TL1

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.32 грн
10+	186 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.83 грн
10+	100.32 грн
100+	91.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6509ENJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.26 грн
10+	216.29 грн
25+	178.14 грн
100+	156.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6509ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.94 грн
10+	192.62 грн
100+	136.97 грн
500+	117.1 грн
1000+	97.94 грн
2000+	92.97 грн
5000+	88.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509ENXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.17 грн
50+	55.67 грн
100+	44.11 грн
500+	35.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.37 грн
10+	117.83 грн
100+	95.54 грн
500+	72.38 грн
1000+	55.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6509KND3TL1

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.07 грн
10+	127.32 грн
100+	89.42 грн
500+	73.1 грн
1000+	60.61 грн
2500+	56.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6509KND3TL1

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	95.54 грн
500+	72.38 грн
1000+	55.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.44 грн
10+	101.65 грн
100+	80.92 грн
500+	64.26 грн
1000+	54.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.83 грн
10+	100.32 грн
100+	91.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.58 грн
10+	218.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509KNJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.26 грн
10+	216.29 грн
25+	178.14 грн
100+	162.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

товару немає в наявності

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6509KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 3980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.94 грн
10+	192.62 грн
100+	136.97 грн
500+	117.1 грн
1000+	97.94 грн
2000+	92.97 грн
5000+	88.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509KNXC7G

R6509KNXC7G THT N channel transistors

товару немає в наявності

R6509KNXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.39 грн
10+	201.97 грн
100+	165.43 грн
500+	132.16 грн
1000+	111.46 грн
2000+	108.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6510-00

R6510-00 Plastic Pegs

товару немає в наявності

R6510-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 9.45MM

на замовлення 2311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6510-00

Standoffs & Spacers 9.6 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 3070 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6511AP

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6511AQ

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6511AQ/R1700-17

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6511END3TL1

MOSFET 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.83 грн
10+	170.58 грн
100+	117.81 грн
250+	115.68 грн
500+	99.36 грн
1000+	85.88 грн
2500+	84.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.51 грн
10+	156.73 грн
100+	109.29 грн
500+	83.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	129.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6511ENJTL

Description: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6511ENJTL

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	194.26 грн
10+	143.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	311.69 грн
10+	269.4 грн

R6511ENJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6511ENXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	224.17 грн
50+	171.14 грн
100+	146.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511ENXC7G

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.89 грн
10+	176.29 грн
25+	144.07 грн
100+	122.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.32 грн
10+	88.71 грн
100+	70.62 грн
500+	59.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.63 грн
14+	57.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6511KNJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6511KNJTL

Description: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	120.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.22 грн
10+	226.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511KNJTL

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	194.26 грн
10+	141.72 грн
100+	120.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

R6511KNXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 3984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.25 грн
50+	173.54 грн
100+	148.74 грн
500+	124.08 грн
1000+	106.24 грн
2000+	100.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.83 грн
10+	253.01 грн
25+	207.95 грн
100+	180.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511P

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6512AP

02+ DIP

на замовлення 787 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6512AP

DIP

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6512P

01+ DIP

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6512P

DIP

на замовлення 222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6513-00

Standoffs & Spacers 12.7 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6513-00

Category: Plastic Pegs
Description: PCB distance; L: 12.7mm; Plate mount.hole dia: 4mm; natural
Mounting: mounting hole without thread; snap fastener
Flammability rating: UL94V-2
Type of spacer: PCB distance
Spacer length: 12.7mm
Mounting plate thickness: 2mm
Plate mounting hole diameter: 4mm
Colour: natural
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 10 шт

товару немає в наявності

R6513-00

товару немає в наявності

R6513-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 12.8MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.504" (12.80mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.64 грн
13+	22.92 грн
16+	19.07 грн
25+	16.79 грн
50+	16.08 грн
100+	14.29 грн
250+	13.36 грн
500+	12.65 грн
1000+	11.95 грн

Мінімальне замовлення: 12

R6514P

на замовлення 262 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	406.89 грн
10+	351.97 грн
100+	288.34 грн

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

товару немає в наявності

R6515ENJTL

MOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	427.25 грн
10+	378.7 грн
100+	270.4 грн
500+	234.21 грн
1000+	194.46 грн
2000+	183.82 грн
10000+	180.98 грн

R6515ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	298.08 грн
10+	264.44 грн
100+	188.78 грн
500+	161.11 грн
1000+	134.85 грн
2000+	127.75 грн
5000+	122.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515ENXC7G

R6515ENXC7G THT N channel transistors

товару немає в наявності

R6515ENXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.76 грн
10+	152.37 грн
100+	117.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNJTL

MOSFET 650V N-CH 15A POWER MOSFET

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	476.1 грн
10+	422.78 грн
25+	347.05 грн
100+	300.92 грн

R6515KNJTL

Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	274.67 грн
10+	233.27 грн
100+	202.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

товару немає в наявності

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	406.89 грн
10+	351.97 грн

R6515KNX3C16

Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	271.01 грн
10+	234.43 грн
100+	192.09 грн
500+	153.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNX3C16

MOSFET 650V 15A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	274.9 грн
10+	244.04 грн
100+	172.46 грн
500+	147.62 грн
1000+	117.81 грн
5000+	113.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNX3C16

Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 161
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 161
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	293.78 грн
10+	249.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6515KNXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.29 грн
10+	245.59 грн
100+	201.18 грн
500+	160.72 грн
1000+	135.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 3992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	298.08 грн
10+	264.44 грн
100+	188.78 грн
500+	161.11 грн
1000+	134.85 грн
2000+	130.59 грн
5000+	122.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	382.32 грн
10+	330.31 грн
100+	270.65 грн

R6515KNZC17

MOSFET 650V 15A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	368.46 грн
10+	305.25 грн
25+	257.63 грн
100+	214.33 грн
300+	207.95 грн
600+	190.2 грн
1200+	153.3 грн

R6518

CONEXANT

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6518AJ

PLCC44

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6518AJ

на замовлення 113 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6518AJ-R1113-18

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6519-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 19.1MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.752" (19.10mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.41 грн
13+	23.36 грн
16+	19.44 грн
25+	17.18 грн
50+	16.44 грн
100+	14.62 грн
300+	13.66 грн
500+	12.94 грн
1000+	12.22 грн

Мінімальне замовлення: 11

R6519-00

Standoffs & Spacers 19.1 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.37 грн
16+	20.4 грн
100+	15.47 грн
200+	14.62 грн
500+	13.84 грн
1000+	13.06 грн
2000+	12.7 грн

Мінімальне замовлення: 11

R6519-00

R6519-00 Plastic Pegs

товару немає в наявності

R6520

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520AP

R6520-13

83+

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520AP

DIP

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520ENJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

R6520ENJTL

Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.88 грн
10+	202.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	394.94 грн

Мінімальне замовлення: 31

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.53 грн
10+	351.46 грн
100+	284.28 грн

R6520ENJTL

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6520ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	202.76 грн
63+	195.04 грн
100+	188.42 грн

Мінімальне замовлення: 61

R6520ENXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	305.55 грн
10+	197.39 грн
100+	163.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	171.42 грн
85+	144.03 грн
100+	136.93 грн

Мінімальне замовлення: 72

R6520ENXC7G

R6520ENXC7G THT N channel transistors

товару немає в наявності

R6520ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 766 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	395.78 грн
10+	355.85 грн
50+	268.98 грн
100+	230.66 грн
250+	228.53 грн
500+	204.4 грн
1000+	165.36 грн

R6520ENXC7G

Description: ROHM - R6520ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	225.64 грн
57+	217.04 грн
100+	209.68 грн

Мінімальне замовлення: 54

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	401.38 грн
32+	384.13 грн
50+	369.5 грн
100+	344.21 грн
250+	309.04 грн
500+	288.61 грн

Мінімальне замовлення: 31

R6520ENZ4C13

MOSFET 650V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	428.9 грн
10+	385.23 грн
25+	268.98 грн
100+	249.82 грн
250+	221.43 грн
600+	189.49 грн
1200+	178.85 грн

R6520ENZ4C13

Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	261.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	434.12 грн

Мінімальне замовлення: 29

R6520ENZ4C13

Description: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	277.15 грн
30+	211.02 грн
120+	180.88 грн
510+	166.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6520ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	426.85 грн
30+	325.78 грн
120+	279.24 грн

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	410.79 грн

Мінімальне замовлення: 30

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520ENZC17

MOSFET 650V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	457.06 грн
10+	378.7 грн
25+	319.37 грн
100+	266.14 грн
300+	257.63 грн
600+	236.33 грн
1200+	190.91 грн

R6520ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6520KNJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	154.17 грн
84+	145.04 грн

Мінімальне замовлення: 79

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	338 грн
38+	323.47 грн
50+	311.15 грн
100+	289.85 грн

Мінімальне замовлення: 37

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.53 грн
10+	351.46 грн

R6520KNX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	202.76 грн
63+	195.04 грн
100+	188.42 грн

Мінімальне замовлення: 61

R6520KNX1C10

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	378.37 грн
34+	362.12 грн
50+	348.32 грн

Мінімальне замовлення: 33

R6520KNX3C16

Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	287.41 грн
10+	209.39 грн
100+	169.58 грн
500+	144.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6520KNX3C16

R6520KNX3C16 THT N channel transistors

товару немає в наявності

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520KNX3C16

Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	312.46 грн
50+	238.86 грн
100+	204.75 грн
500+	170.79 грн

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	171.42 грн
85+	144.03 грн
100+	135.92 грн

Мінімальне замовлення: 72

R6520KNX3C16

MOSFETs 650V 20A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	335.34 грн
10+	301.17 грн
50+	228.53 грн
100+	195.17 грн
250+	192.33 грн
500+	173.88 грн
1000+	139.1 грн

R6520KNXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	339.33 грн
50+	258.69 грн
100+	221.73 грн
500+	184.97 грн

R6520KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	126.79 грн
105+	116.64 грн
108+	113.6 грн
200+	108.57 грн
500+	96 грн
1000+	89.55 грн

Мінімальне замовлення: 96

R6520KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	363.49 грн
10+	300.35 грн
50+	256.21 грн
100+	211.49 грн
250+	207.24 грн
500+	187.36 грн
1000+	160.4 грн

R6520KNXC7G

Description: ROHM - R6520KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

товару немає в наявності

R6520KNZ4C13

Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	480.08 грн
10+	414 грн
100+	358.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	409.68 грн

Мінімальне замовлення: 30

R6520KNZ4C13

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	591.91 грн
30+	454.81 грн
120+	406.94 грн

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	403.05 грн
30+	307.57 грн
120+	263.64 грн

R6520KNZC17

MOSFET 650V 20A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	432.22 грн
10+	357.48 грн
25+	301.63 грн
100+	250.53 грн
300+	243.43 грн
600+	222.85 грн
1200+	180.27 грн

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6520P

DIP

на замовлення 122 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6521AP

DIP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6521AP

04+ DIP40

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6521P1

04+ DIP40

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522-31

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522-41

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522/P

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R652231

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522AC

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522AP

DIP

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522APE

ROCKWE

на замовлення 469 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522P

DIP

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522P

DIP

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522P

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522PE

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522PO1

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6523

PLCC44

на замовлення 310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6523

N/A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6523

DIP

на замовлення 2548 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6523P

04+ DIP

на замовлення 301 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	492.11 грн
10+	428.49 грн

R6524ENJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	550.62 грн
10+	490.52 грн
100+	352.73 грн
500+	307.31 грн

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товару немає в наявності

R6524ENJTL

R6524ENJTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

R6524ENXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.98 грн
50+	99.86 грн
100+	82.16 грн
500+	69.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6524ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	413.17 грн
10+	341.98 грн
50+	291.69 грн
100+	240.59 грн
250+	236.33 грн
500+	213.62 грн
1000+	172.46 грн

R6524ENZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.19 грн
30+	107.05 грн
120+	88.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6524ENZ4C13

MOSFET 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	446.29 грн
10+	395.03 грн
120+	281.05 грн
510+	244.85 грн
1020+	191.62 грн

R6524ENZ4C13

Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	376.58 грн
5+	327.22 грн
10+	277.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6524ENZC17

MOSFET 650V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	471.96 грн
10+	390.95 грн
25+	329.31 грн
100+	274.66 грн
300+	266.14 грн
600+	244.14 грн
1200+	196.59 грн

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	492.11 грн
10+	428.49 грн

R6524KNJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	577.12 грн
10+	514.19 грн
25+	426.54 грн
100+	370.47 грн

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товару немає в наявності

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товару немає в наявності

R6524KNX3C16

MOSFET 650V 24A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	376.74 грн
10+	333.81 грн
100+	237.75 грн
500+	202.27 грн

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	349.31 грн
10+	302.44 грн
100+	247.79 грн

R6524KNXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	380.79 грн
50+	290.6 грн
100+	249.08 грн
500+	207.78 грн

R6524KNXC7G

Description: ROHM - R6524KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	182.09 грн
73+	167.6 грн
100+	162.43 грн

Мінімальне замовлення: 67

R6524KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	413.17 грн
10+	341.98 грн
50+	291.69 грн
100+	240.59 грн
250+	236.33 грн
500+	213.62 грн
1000+	183.11 грн

R6524KNZ4C13

MOSFET 650V 24A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	446.29 грн
10+	395.03 грн
120+	281.05 грн
510+	239.88 грн
1020+	191.62 грн

R6524KNZ4C13

R6524KNZ4C13 THT N channel transistors

товару немає в наявності

R6524KNZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	501.32 грн
10+	434.11 грн
100+	355.66 грн
500+	284.13 грн
1000+	239.63 грн

R6524KNZ4C13

Description: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	282.63 грн
5+	277.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6524KNZC17

MOSFET 650V 24A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	471.96 грн
10+	390.95 грн
25+	329.31 грн
100+	274.66 грн
300+	266.14 грн
600+	244.14 грн
1200+	196.59 грн

R6524KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	489.04 грн
10+	423.24 грн
100+	346.78 грн

R6528-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM

товару немає в наявності

R6528-00

Standoffs & Spacers 28.5 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товару немає в наявності

R6530

01+ DIP40

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6530ENXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.19 грн
50+	105.67 грн
100+	90.58 грн
500+	83.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6530ENZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.8 грн
30+	108.63 грн
120+	93.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6530ENZ4C13

MOSFET 650V 30A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	510.88 грн
10+	452.16 грн
120+	322.21 грн
510+	280.34 грн
1020+	220.01 грн

R6530ENZ4C13

Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	536.61 грн
5+	462.57 грн
10+	388.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6530ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.6 грн
10+	361.36 грн
100+	301.12 грн

R6530ENZC17

MOSFET 650V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	481.07 грн
10+	407.27 грн
25+	335.69 грн
100+	294.53 грн
300+	285.31 грн
600+	259.76 грн
1200+	223.56 грн

R6530KNX3C16

Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	362.25 грн
10+	304.13 грн
25+	294.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6530KNX3C16

MOSFET 650V 30A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 1079 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	504.25 грн
10+	439.1 грн
100+	311.56 грн
500+	271.11 грн
1000+	224.27 грн
2500+	212.91 грн

R6530KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	519.16 грн
10+	459.5 грн
100+	327.89 грн
500+	278.92 грн
1000+	239.88 грн
2000+	222.85 грн

R6530KNXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

на замовлення 894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	544.31 грн
10+	470.56 грн
100+	385.54 грн
500+	308.01 грн

R6530KNZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	558.9 грн
10+	483.71 грн
100+	396.32 грн

R6530KNZ4C13

MOSFET 650V 30A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	507.56 грн
10+	420.33 грн
25+	354.15 грн
100+	295.24 грн
250+	286.72 грн
600+	268.98 грн
1200+	212.2 грн

R6530KNZ4C13

Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	269.1 грн
5+	261.93 грн
10+	254.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6530KNZC17

MOSFET 650V 30A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	481.07 грн
10+	407.27 грн
25+	335.69 грн
100+	294.53 грн
300+	285.31 грн
600+	259.76 грн
1200+	223.56 грн

R6530KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.6 грн
10+	361.36 грн
100+	301.12 грн

R6530P

DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6531

02+ DIP

на замовлення 336 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-11

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-15

02+ DIP

на замовлення 299 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-23

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-24

01+ DIP

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-25

01+ DIP

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-32

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-34

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-40

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532AP

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532AP

DIP

на замовлення 53 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532AP

02+ DIP

на замовлення 467 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532GD

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532GD

02+ DIP

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532P

DIP

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532P

01+ DIP

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6535

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6535

DIP

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6535-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCREW MNT 35MM

товару немає в наявності

R6535-00

Standoffs & Spacers 35.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товару немає в наявності

R6535ENZ4C13

Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	466.55 грн
5+	456.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6535ENZ4C13

MOSFETs 650V 35A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	300.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6535ENZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.5 грн
30+	132.46 грн
120+	113.52 грн
510+	104.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6535ENZC17

MOSFETs 650V 35A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	582.08 грн
10+	492.15 грн
25+	405.96 грн
100+	355.57 грн
300+	344.21 грн
600+	314.4 грн
1200+	269.69 грн

R6535ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	528.96 грн
10+	436.47 грн
100+	363.73 грн

R6535KNX3C16

Description: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	466.77 грн
10+	385.24 грн
100+	321.03 грн

R6535KNX3C16

MOSFET 650V MOSFET

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	546.48 грн
10+	484.81 грн
50+	398.15 грн
100+	344.21 грн

R6535KNZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.53 грн
10+	421.39 грн
100+	351.19 грн

R6535KNZ4C13

Description: ROHM - R6535KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	466.55 грн
5+	456.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6535KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	528.96 грн
10+	436.47 грн
100+	363.73 грн

R6535KNZC17

MOSFET 650V 35A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	582.08 грн
10+	492.15 грн
25+	405.96 грн
100+	355.57 грн
300+	344.21 грн
600+	314.4 грн
1200+	269.69 грн

R6540

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6541

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545-1AP

DIP

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545-1P

DIP

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545AP

DIP

на замовлення 351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545AP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545EAP

DIP

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545P

DIP

на замовлення 1110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6547ENZ4C13

Description: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.53 грн
10+	339.18 грн
100+	322.31 грн

R6547KNZ4C13

Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1125.76 грн
5+	1011.12 грн

R6547KNZ4C13

R6547KNZ4C13 THT N channel transistors

товару немає в наявності

R6547KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 47A Power MOSFET. R6547KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

на замовлення 587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1136.84 грн
10+	986.75 грн
30+	811.2 грн
60+	741.65 грн
120+	740.94 грн
270+	672.1 грн
510+	617.45 грн

R6549

00+ DIP40

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6549P

DIP

на замовлення 1123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6550-00

Description: 3.2MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

R6551

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551-00

Description: 4.8MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

R6551-11

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551-13

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551-17

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551-22

DIP

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551AP

DIP

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551AP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551APE

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551P

DIP

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551P

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551P(R6551-11)

02+ DIP

на замовлення 2005 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6552-00

Description: 6.35MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

R6553-00

Description: 7.9MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

R6554-00

Description: 9.5MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

R6555-00

Description: 12.7MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

R6556-00

Description: 15.8MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

R656

Vector

Standard Card Edge Connectors 56P EDGE CONN W WRAP

товару немає в наявності

R656

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP FLUSH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товару немає в наявності

R656-1

Vector

Standard Card Edge Connectors 56 POS EDGE CARD 042" Hole Diameter

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R656-1

Description: CONN EDGE 56CONT SOLDRTAIL FLUSH

товару немає в наявності

R656-2

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP CENTER
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1896.27 грн

R656-3

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP 0.025"
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товару немає в наявності

R656-3

Vector

Racks & Rack Cabinet Accessories RECEPTACLE U/O 3690-16, 3690-17

товару немає в наявності

R656-4#

Description: RECEPTACLE BULK STD BUS MTR BD

товару немає в наявності

R6562AP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6570-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

R6570SA

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6570SB

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6571-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

R6572-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

R6573-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Features: Snap-Mount
Color: Black
For Use With/Related Products: Cable, Wires
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Panel Thickness: 0.075" ~ 0.126" (1.90mm ~ 3.20mm)
Diameter - Inside: Variable Size
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 0.626" L x 0.528" W (15.90mm x 13.40mm)
Bushing, Grommet Type: Bushing, Strain Relief
Material Flammability Rating: UL94 V-2
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

R6574-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

R6575-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

R6576ENZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.96mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	981.15 грн
10+	750.6 грн

R6576ENZ4C13

MOSFETs TO247 650V 76A N-CH MOSFET

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1052.39 грн
10+	870.85 грн

R6576ENZ4C13

R6576ENZ4C13 THT N channel transistors

товару немає в наявності

R6576KNZ1

товару немає в наявності

R6576KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1099.59 грн
25+	1048.83 грн

Мінімальне замовлення: 12

R6576KNZ1C9

товару немає в наявності

R6576KNZ4C13

Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.04 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	657.62 грн
5+	644.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6576KNZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1249.85 грн
10+	1106.12 грн
100+	934.15 грн
500+	779.86 грн

R6576KNZ4C13

MOSFET 650V 76A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1192.32 грн
10+	1080.61 грн
120+	793.46 грн
510+	705.46 грн
1020+	647.26 грн

R6580-00

Description: BUSHING 0.205" NYLON BLACK

товару немає в наявності

R6581-00

Description: BUSHING 0.248" NYLON BLACK

товару немає в наявності

R6582-00

Description: BUSHING 0.323" NYLON BLACK

товару немає в наявності

R6583-00

Description: BUSHING 0.520" NYLON BLACK

товару немає в наявності

R6583A

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6584-00

Description: BUSHING 0.563" NYLON BLACK

товару немає в наявності

R6585-00

Description: BUSHING 0.693" NYLON BLACK

товару немає в наявності

R65C/SC51P1

01+ DIP28

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02

01+ DIP40

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02

PLCC44

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02-33

03+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02AP

03+ DIP

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J1

03+ PLCC

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J2

03+ PLCC

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J3

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J3(11450-31)

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J4

на замовлення 562 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J4

PLCC44

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P

02+ DIP40

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P1

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P1

03+ DIP40

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P2

09+ SOP8

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P2

DIP

на замовлення 364 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P2

01+ DIP

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P2
Код товару: 83555

Rockwell

Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: DIP-40
Короткий опис: Microprocessors(CPU)
Живлення, В: 5,0 V

товару немає в наявності

1+	35 грн

R65C02P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P3

DIP

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P3

01+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P4

DIP

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02PIE

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C03P2

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C102

01+ DIP40

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C102P2

DIP

на замовлення 84 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C102P3

00+

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P-1

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P-2

04+ DIP

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P-3

04+ DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P-4

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P2

01+ DIP

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P3

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C12

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J1E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J2

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J2E

на замовлення 2145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J3

на замовлення 3240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J3E

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J4

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J4E

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21JI

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P2

92+

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P2

DIP

на замовлення 807 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P2/P3

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P3

на замовлення 623 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22

02+ DIP40

на замовлення 217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22AP

03+ DIP40

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22C2E

04+ DIP

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22C3E

0018+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22C4E

0321+ DIP

на замовлення 1289 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J1

на замовлення 6589 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J2

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J4

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P

02+ DIP40

на замовлення 114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P1

DIP

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P1

04+ DIP40

на замовлення 786 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P1E

01+ DIP

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

09+

на замовлення 518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

DIP

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2E

0118+ DIP

на замовлення 1185 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2E

DIP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P3

0204+ DIP40

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P3

DIP

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4

DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4

01+ DIP

на замовлення 145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4E

02+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4E

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22PC

DIP40

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22PI

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24J2

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P

01+ DIP

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P-4

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P1

на замовлення 558 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P2

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P2

02+ DIP

на замовлення 790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51-J1

на замовлення 112 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J2

PLCC28

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J2E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J3

0448+ PLCC

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J4

0215+ PLCC

на замовлення 330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51JC2

ROCKWE

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P

02+ DIP28

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P1

DIP

на замовлення 885 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P1E

07+

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P1E

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2

ROCKEWLL

DIP28 09+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2

DIP28

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2E

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2S

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P3

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P3\P4

DIP

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P4

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51PI

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J1

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J2

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J2

ZILOG

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J2E

0402+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3

PLCC

на замовлення 876 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3

0530+ PLCC

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J4

0229+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J4E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P

DIP

на замовлення 282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P1

DIP

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P2

ПРОЧИЕ ИЗГОТОВИТЕЛИ

Сдв адаптер асинхр интерфейса (мультимедиа) DIP 40

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	226.8 грн

R65C52P3

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65F11

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02J1

04+ PLCC

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02J2

04+ PLCC44

на замовлення 668 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02J3

04+ PLCC44

на замовлення 768 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02J4

04+ PLCC44

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P

01+ DIP

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P1

DIP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P1

04+ DIP

на замовлення 789 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P2

01+ DIP40

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P2

DIP

на замовлення 111 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P3

01+ DIP40

на замовлення 131 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P4

00+ DIP40

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22-J2

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J1

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2

ROCKWE

на замовлення 125 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2(11484-37

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2(11484-37)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J3

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J3

03+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J4

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P1

DIP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P1

01+ DIP40

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P2

DIP

на замовлення 468 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P2

02+ DIP40

на замовлення 164 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P3

01+ DIP40

на замовлення 107 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P3

DIP

на замовлення 340 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P4

01+ DIP40

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P4

DIP

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC51P1

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC51P2

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC51P3

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC51P4

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC02PE4

CMD

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC112J1

04+ PLCC44

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC112J2

04+ PLCC44

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC112J3

04+ PLCC44

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC112J4

04+ PLCC44

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC23P-2

04+ DIP

на замовлення 689 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC23P-3

04+ DIP

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC23P-4