R6520KNX3C16 Rohm Semiconductor
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 72+ | 172.24 грн |
| 85+ | 144.73 грн |
| 100+ | 136.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6520KNX3C16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R6520KNX3C16 за ціною від 138.26 грн до 333.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6520KNX3C16 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6520KNX3C16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6520KNX3C16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 650V 20A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6520KNX3C16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| R6520KNX3C16 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| R6520KNX3C16 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |