на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 215.61 грн |
| 10+ | 191.44 грн |
| 100+ | 136.14 грн |
| 500+ | 116.39 грн |
| 1000+ | 97.34 грн |
| 2000+ | 92.41 грн |
| 5000+ | 88.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6509KNXC7G ROHM Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP, Mounting: THT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 9A, On-state resistance: 1.1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 48W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 16.5nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 27A, Case: TO220FP, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції R6509KNXC7G за ціною від 107.91 грн до 231.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R6509KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| R6509KNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| R6509KNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Case: TO220FP |
товар відсутній |