R6515KNX3C16 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.68 грн |
| 10+ | 237.6 грн |
| 100+ | 194.69 грн |
| 500+ | 155.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6515KNX3C16 Rohm Semiconductor
Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 161W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6515KNX3C16 за ціною від 115.09 грн до 278.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6515KNX3C16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 650V 15A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|