R6511END3TL1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 128.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6511END3TL1 ROHM
Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 124W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 124W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R6511END3TL1 за ціною від 83.64 грн до 205.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6511END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6511END3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6511END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
товар відсутній |