на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 489.11 грн |
| 10+ | 425.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6524ENJTL Rohm Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 24A, On-state resistance: 0.185Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 245W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 70nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 72A, Mounting: SMD, Case: D2PAK, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції R6524ENJTL за ціною від 305.43 грн до 547.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6524ENJTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| R6524ENJTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 0.185Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 245W Kind of package: reel; tape Gate charge: 70nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
R6524ENJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS |
товар відсутній |
|||||||||||
| R6524ENJTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 0.185Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 245W Kind of package: reel; tape Gate charge: 70nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: SMD Case: D2PAK |
товар відсутній |