![R6524KNZ4C13 R6524KNZ4C13](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO247-40.jpg)
R6524KNZ4C13 ROHM
![r6524knz4c13-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 280.91 грн |
5+ | 275.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6524KNZ4C13 ROHM
Description: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxKNx, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6524KNZ4C13 за ціною від 190.46 грн до 498.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6524KNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
R6524KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
R6524KNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 0.34Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 245W Kind of package: tube Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: THT Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
R6524KNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 0.34Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 245W Kind of package: tube Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: THT Case: TO247 |
товар відсутній |