R6504END3TL1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 82 грн |
| 13+ | 61.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6504END3TL1 ROHM
Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6504END3TL1 за ціною від 42.45 грн до 125.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6504END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V |
на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6504END3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 650V 4A TO-252, Low-noise Power MOSFET |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6504END3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 58W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| R6504END3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; TO252 Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 58W Gate charge: 15nC Polarisation: unipolar Drain current: 4A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.02Ω кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
R6504END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| R6504END3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; TO252 Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 58W Gate charge: 15nC Polarisation: unipolar Drain current: 4A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.02Ω |
товар відсутній |