Продукція > NVH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVH040N65S3FON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, 650 V, 65 A, 40 m
товар відсутній
NVH040N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1144.28 грн
10+ 780.16 грн
100+ 604.71 грн
NVH040N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 65 A, 40 mohm, TO-247
товар відсутній
NVH050N65S3FonsemiMOSFET SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
товар відсутній
NVH050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.64 грн
10+ 595.25 грн
100+ 449.59 грн
500+ 407.49 грн
NVH082N65S3FonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.46 грн
10+ 425.14 грн
100+ 314.81 грн
500+ 268.45 грн
NVH082N65S3FonsemiMOSFET SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOHM TO-247-3S
товар відсутній
NVH18NEC09+
на замовлення 747 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVH18NEWSOP18 06+
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVH1D1C0CP2SAPEM Inc.Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11414.54 грн
5+ 10837.51 грн
20+ 10218.18 грн
NVH1D1C0CP2SApemJoysticks No PushBtn Cstl Act 50mA Blk
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12421.52 грн
5+ 12085.76 грн
10+ 10052.9 грн
20+ 9139.26 грн
60+ 8558.91 грн
100+ 8557.46 грн
260+ 8556.01 грн
NVH1D1C0CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator
товар відсутній
NVH1D1C0CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator
товар відсутній
NVH1D1C0CP7SApemJoysticks THUMBSTICK JOYSTICK NV
товар відсутній
NVH1D1C1CP2SAPEM Inc.Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional, Center Select
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15461.82 грн
5+ 12996.32 грн
10+ 12254.57 грн
25+ 10638.81 грн
50+ 10028.38 грн
NVH1D1C1CP2SApemJoysticks Pshbtn Cstl Act 50mA Blk
на замовлення 34 шт:
термін постачання 217-226 дні (днів)
1+14861.87 грн
5+ 14433.75 грн
NVH1D1C1CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator
товар відсутній
NVH1D1C1CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator
товар відсутній
NVH1D1C1CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator
товар відсутній
NVH2D1C0CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator
товар відсутній
NVH2D1C0CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator
товар відсутній
NVH2D1C0CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton White Actuator
товар відсутній
NVH2D1C1CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator
товар відсутній
NVH2D1C1CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator
товар відсутній
NVH2D1C1CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator
товар відсутній
NVH4L015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4784.79 грн
10+ 4188.48 грн
30+ 4048.88 грн
90+ 3537.68 грн
NVH4L015N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
товар відсутній
NVH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A Automotive Tube
товар відсутній
NVH4L018N075SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 750V 140A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVH4L018N075SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 750V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 66A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5010 pF @ 375 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2760.37 грн
30+ 2227.56 грн
120+ 2079.06 грн
NVH4L020N090SC1onsemiMOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4327.88 грн
10+ 3981.09 грн
30+ 3316.91 грн
NVH4L020N090SC1onsemiDescription: SIC MOSFET 900V TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4115.47 грн
10+ 3697.16 грн
100+ 3210.11 грн
NVH4L020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.6 грн
10+ 2560.17 грн
100+ 2398.73 грн
NVH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVH4L020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3884.26 грн
5+ 3301.5 грн
10+ 2766.7 грн
50+ 2397.75 грн
100+ 2102.54 грн
NVH4L020N120SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 20 m?, TO247?4L
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3335.51 грн
10+ 2852.92 грн
25+ 2480.08 грн
NVH4L022N120M3SonsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3884.95 грн
10+ 3553.65 грн
25+ 3024.93 грн
50+ 2984.35 грн
100+ 2835.1 грн
450+ 2727.87 грн
NVH4L022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3712.62 грн
10+ 3358.44 грн
30+ 3250.06 грн
120+ 2826.39 грн
NVH4L022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1364.3 грн
Мінімальне замовлення: 450
NVH4L025N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide MOSFET, N-Channel - EliteSiC ,21mohm, 650V, M2, TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2135.2 грн
10+ 1902.23 грн
25+ 1559.92 грн
50+ 1533.84 грн
100+ 1430.95 грн
250+ 1309.23 грн
450+ 1255.62 грн
NVH4L025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1912.35 грн
10+ 1698.2 грн
25+ 1621.9 грн
100+ 1360.92 грн
NVH4L025N065SC1ON SemiconductorSingle N-Channel MOSFET SiC Power Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVH4L027N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 27mohm
товар відсутній
NVH4L027N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1444.45 грн
10+ 998.72 грн
100+ 815.58 грн
NVH4L030N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 30 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 30 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1919.65 грн
10+ 1775.58 грн
25+ 1364.3 грн
50+ 1341.11 грн
100+ 1279.53 грн
250+ 1231.71 грн
450+ 1097.67 грн
NVH4L030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1718.76 грн
30+ 1372.54 грн
120+ 1286.74 грн
510+ 1030.45 грн
NVH4L030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVH4L032N065M3SON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 32mohm 650V M3S
товар відсутній
NVH4L040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -3V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1362.16 грн
30+ 1061.89 грн
120+ 999.42 грн
NVH4L040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVH4L040N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in TO247-4LD package
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1521.52 грн
10+ 1400.63 грн
25+ 1055.65 грн
50+ 1054.92 грн
100+ 994.06 грн
250+ 976.67 грн
450+ 899.87 грн
NVH4L040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1345.96 грн
5+ 1076.93 грн
10+ 1034.67 грн
50+ 960.01 грн
100+ 885.46 грн
200+ 884.77 грн
500+ 884.07 грн
NVH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVH4L040N120SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?4L
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1322.88 грн
NVH4L040N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVH4L040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 235216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1248.51 грн
30+ 1096.71 грн
NVH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5665 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1042.39 грн
10+ 707.17 грн
100+ 539.51 грн
500+ 503.41 грн
NVH4L040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Tube
товар відсутній
NVH4L040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NVH4L040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.48 грн
5+ 751.01 грн
10+ 656.72 грн
50+ 580.38 грн
100+ 529.47 грн
NVH4L040N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1075.21 грн
10+ 809.05 грн
100+ 554.99 грн
NVH4L045N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 33 mohm, 650V, M2, TO247-4L
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1400.64 грн
10+ 1289.81 грн
25+ 972.32 грн
50+ 971.6 грн
100+ 914.36 грн
250+ 899.15 грн
450+ 813.65 грн
NVH4L045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1284.57 грн
30+ 1001.49 грн
120+ 942.59 грн
510+ 801.65 грн
NVH4L045N065SC1ON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 650V
товар відсутній
NVH4L050N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 50mohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+949.26 грн
10+ 663.24 грн
100+ 434.72 грн
450+ 434 грн
NVH4L050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 400 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.69 грн
10+ 579.7 грн
100+ 437.2 грн
500+ 394.44 грн
NVH4L050N65S3FON Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVH4L060N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET, N Channel
товар відсутній
NVH4L060N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 44mohm, 650V, M2, TO247-4L
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1131 грн
10+ 982.36 грн
25+ 831.76 грн
50+ 784.67 грн
100+ 739.02 грн
250+ 715.84 грн
450+ 668.74 грн
NVH4L060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.07 грн
10+ 574.87 грн
NVH4L060N090SC1ON SemiconductorAutomotive MOSFET
товар відсутній
NVH4L060N090SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO247-4L
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1400.64 грн
10+ 1218.16 грн
25+ 971.6 грн
50+ 970.15 грн
100+ 914.36 грн
250+ 886.1 грн
450+ 828.87 грн
NVH4L060N090SC1onsemiDescription: -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2210.18 грн
10+ 1891.41 грн
100+ 1654.29 грн
NVH4L070N120M3SonsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 70 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1158.05 грн
10+ 1004.86 грн
25+ 850.6 грн
50+ 803.51 грн
100+ 755.69 грн
250+ 732.5 грн
450+ 685.41 грн
NVH4L075N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+865.26 грн
10+ 733.89 грн
450+ 575.22 грн
NVH4L075N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO247-4L
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+966.17 грн
10+ 839.05 грн
25+ 718.74 грн
50+ 697 грн
100+ 675.27 грн
250+ 611.51 грн
450+ 583.25 грн
NVH4L075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVH4L080N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1892.6 грн
10+ 1821.4 грн
25+ 1454.14 грн
50+ 1450.52 грн
100+ 1390.38 грн
250+ 1381.69 грн
450+ 1262.14 грн
NVH4L080N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVH4L080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+791.59 грн
30+ 639.35 грн
NVH4L080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+833.1 грн
5+ 766.45 грн
10+ 698.99 грн
50+ 552.46 грн
100+ 509.26 грн
250+ 508.57 грн
500+ 502.99 грн
NVH4L095N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 70 mohm, 650V, M2, TO247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 95 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+843.6 грн
10+ 776.55 грн
25+ 585.42 грн
100+ 551.37 грн
250+ 541.95 грн
450+ 498.48 грн
900+ 457.18 грн
NVH4L110N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 110mohm
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.39 грн
10+ 385.78 грн
25+ 326.04 грн
100+ 245.62 грн
450+ 221.71 грн
NVH4L110N65S3FonsemiDescription: SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 400 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.28 грн
10+ 337.59 грн
100+ 246.64 грн
500+ 201.06 грн
NVH4L160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+750.19 грн
5+ 656.72 грн
10+ 543.75 грн
50+ 452.83 грн
100+ 385.95 грн
250+ 360.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.3A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVH4L160N120SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.45 грн
NVH4L160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.54 грн
34+ 446.42 грн
NVH640S75L4SPBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+44925.41 грн
12+ 42858.83 грн
NVH640S75L4SPConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+44925.41 грн
12+ 42858.83 грн
NVH660S75L4SPFBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 660A Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Short Power Terminals
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+47054.7 грн
12+ 44891.03 грн
NVH660S75L4SPFConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate for Automotive 750V, 660A 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Long Power Terminals
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+47054.7 грн
12+ 44891.03 грн
NVH820S75L4SPBON SemiconductorAutomotive 750 V, 820 A IGBT Module Transistor
товар відсутній
NVH820S75L4SPBonsemiIGBT Modules 750V, 820A SSD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+47790.94 грн
12+ 45607.6 грн
NVH820S75L4SPConsemiPower Management Specialised - PMIC AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE
товар відсутній
NVH820S75L4SPConsemiDescription: AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
Current - Collector (Ic) (Max): 820 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+44013.83 грн
12+ 41109.03 грн
NVH820S75L4SPCON SemiconductorAutomotive AEC-Q101 IGBT Module Transistor
товар відсутній
NVH820S75L4SPCON SemiconductorAutomotive IGBT Module Transistor
товар відсутній
NVH820S75L4SPMonsemiIGBT Modules AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE SPM
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+47805.31 грн
12+ 45607.6 грн
NVH950S75L4SPBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Short Tabs 6-Pack 750V 950A Press-Fit Pin Fin Power Integrated Module with Short Power Terminals
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+58518.5 грн
12+ 57560.04 грн
NVH950S75L4SPConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Long Tabs
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+59146.55 грн
12+ 58300.77 грн
100+ 50566.63 грн
252+ 50526.78 грн
500+ 50323.19 грн
1000+ 50052.21 грн
NVHL015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 12V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2738.42 грн
10+ 2432.32 грн
25+ 2323 грн
100+ 1949.23 грн
NVHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL015N065SC1ON SemiconductorNVHL015N065SC1
товар відсутній
NVHL015N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-3L
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5043.84 грн
10+ 4520.18 грн
25+ 3798.73 грн
50+ 3667.59 грн
100+ 3537.17 грн
250+ 3516.16 грн
450+ 3300.25 грн
NVHL020N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 472A; 251W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 251W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...19V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 136A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL020N090SC1onsemiSiC MOSFETs 20MOHM 900V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1971.21 грн
25+ 1842.23 грн
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1832.41 грн
30+ 1609.45 грн
NVHL020N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 472A; 251W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 251W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...19V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3684.47 грн
5+ 3572.12 грн
10+ 3351.43 грн
20+ 3028.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVHL020N120SC1onsemiSiC MOSFETs 20MW 1200V
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2839.33 грн
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2682.44 грн
NVHL020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2486.06 грн
30+ 2354.05 грн
NVHL020N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2888.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVHL020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 535
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL025N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 25mohm, 650V, M2, TO247-3L SiC MOSFET, 650V, 19mohm, 99A
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2120.83 грн
10+ 1888.89 грн
25+ 1549.05 грн
50+ 1522.97 грн
100+ 1421.53 грн
250+ 1299.81 грн
450+ 1246.92 грн
NVHL025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1899.03 грн
10+ 1686.65 грн
25+ 1610.82 грн
100+ 1351.64 грн
450+ 1227.15 грн
NVHL025N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL025N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1644.93 грн
10+ 1164.83 грн
25+ 1011.45 грн
50+ 1010 грн
100+ 863.64 грн
NVHL025N65S3ON SemiconductorPower MOSFET, Automotive N-Channel, SUPERFET III, Easy-drive
товар відсутній
NVHL025N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1472.67 грн
10+ 1019.18 грн
100+ 835.77 грн
NVHL025N65S3ON Semiconductor
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL027N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1423.29 грн
10+ 983.18 грн
100+ 800.31 грн
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVHL027N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL027N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0215 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1294.76 грн
5+ 1204.54 грн
10+ 1114.32 грн
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL027N65S3FON Semiconductor
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+810.82 грн
NVHL027N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL027N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 75 A, 27.4 mohm, TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1191.01 грн
10+ 1124 грн
25+ 879.58 грн
50+ 875.96 грн
100+ 826.69 грн
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL040N120SC1
Код товару: 190306		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL040N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1283 грн
10+ 1056.23 грн
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2511.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVHL040N120SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-3L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?3L
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1322.03 грн
10+ 1255.65 грн
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2332.49 грн
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1203.52 грн
NVHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1935.22 грн
5+ 1819.81 грн
10+ 1703.58 грн
50+ 1498.88 грн
100+ 1306.25 грн
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1296.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVHL040N60S5FonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 59 A, 40 mohm, TO-247 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600V, 57A, 40mohm, TO-247
товар відсутній
NVHL040N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 7.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6318 pF @ 400 V
на замовлення 6637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.67 грн
10+ 505.97 грн
450+ 359.78 грн
NVHL040N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+866.04 грн
10+ 581.21 грн
100+ 438.36 грн
500+ 395.67 грн
NVHL040N65S3onsemiMOSFETs MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III,Automotive, Easy-Drive 650 V, 65 A, 40 mohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+959.4 грн
10+ 664.9 грн
100+ 436.17 грн
NVHL040N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.25 грн
10+ 725.51 грн
NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL040N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 65 A, 40 mohm, TO-247 TO-247
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1135.22 грн
10+ 829.05 грн
25+ 689.76 грн
50+ 670.92 грн
100+ 596.29 грн
250+ 594.12 грн
450+ 573.11 грн
NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVHL040N65S3FON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL040N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 40MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 400 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.85 грн
10+ 635.85 грн
100+ 482.14 грн
500+ 441.96 грн
NVHL040N65S3HFON SemiconductorNVHL040N65S3HF
товар відсутній
NVHL040N65S3HFonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 65 A, 40 mohm, TO-247 fast recovery
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+983.07 грн
10+ 726.56 грн
100+ 486.89 грн
NVHL045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1248.51 грн
10+ 1105.29 грн
25+ 1059.48 грн
100+ 876.05 грн
450+ 779.31 грн
NVHL045N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO247-3L
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1361.76 грн
10+ 1205.66 грн
25+ 1012.9 грн
50+ 982.47 грн
100+ 896.97 грн
250+ 805.68 грн
450+ 804.96 грн
NVHL050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+866.83 грн
10+ 581.82 грн
100+ 438.86 грн
500+ 396.2 грн
NVHL050N65S3FonsemiMOSFETs N-Channel, SUPERFET III MOSFETm 650V, 50 mohm, 58A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+953.49 грн
10+ 665.74 грн
100+ 436.89 грн
450+ 436.17 грн
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+437.09 грн
Мінімальне замовлення: 29
NVHL050N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL050N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.041 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 403W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+859.92 грн
5+ 744.5 грн
10+ 629.09 грн
50+ 560.76 грн
100+ 495.33 грн
250+ 436.81 грн
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+405.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL050N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL050N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+576.06 грн
10+ 384.98 грн
100+ 377.48 грн
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL050N65S3HFonsemiMOSFETs Power Mosfet - N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 58 A, 50 mohm
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.01 грн
10+ 448.27 грн
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL055N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+622.3 грн
10+ 410.49 грн
100+ 303.32 грн
500+ 256.93 грн
NVHL055N60S5FonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 45 A, 55 mohm, TO-247 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600V, xxA, 55mohm, TO-247
товар відсутній
NVHL055N60S5FON SemiconductorPower MOSFET, N-Channel
товар відсутній
NVHL060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+978.12 грн
10+ 865.52 грн
25+ 829.65 грн
100+ 686.01 грн
450+ 610.25 грн
NVHL060N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 60mohm, 650 V, M2, TO247-3L SiC MOSFET, 650V, 44mohm, 47A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1092.11 грн
10+ 967.36 грн
25+ 812.93 грн
50+ 787.57 грн
100+ 719.46 грн
250+ 647.01 грн
450+ 646.28 грн
NVHL060N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.45 грн
75+ 707.09 грн
NVHL060N090SC1onsemiSiC MOSFETs 60MOHM
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+941.65 грн
50+ 809.88 грн
NVHL060N090SC1ON SemiconductorSiC Power, Single N-Channel 900 V, 60 m, 46 A
товар відсутній
NVHL060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+469.79 грн
5+ 468.97 грн
10+ 468.16 грн
50+ 433.97 грн
100+ 399.89 грн
250+ 399.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL060N090SC1ON Semiconductor
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL065N65S3FON SemiconductorNVHL065N65S3F
товар відсутній
NVHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL065N65S3FonsemiDescription: SUPERFET3 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.57 грн
30+ 460.88 грн
120+ 412.36 грн
510+ 341.46 грн
1020+ 307.31 грн
NVHL065N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 65mohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.96 грн
10+ 544.92 грн
25+ 428.92 грн
100+ 394.15 грн
250+ 370.96 грн
450+ 347.78 грн
900+ 313 грн
NVHL070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL070N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1841.75 грн
5+ 1684.89 грн
10+ 1527.21 грн
50+ 1373.59 грн
100+ 1226.83 грн
250+ 1053.36 грн
NVHL070N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1781.46 грн
10+ 1523.78 грн
NVHL070N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1914.58 грн
10+ 1677.26 грн
25+ 1360.67 грн
50+ 1317.93 грн
100+ 1275.18 грн
250+ 1190.41 грн
450+ 1095.49 грн
NVHL070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL072N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.66 грн
10+ 297.21 грн
100+ 273.59 грн
NVHL072N65S3onsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 44 A, 72 mohm, TO-247
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.41 грн
25+ 329.12 грн
100+ 282.57 грн
NVHL072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL072N65S3ON Semiconductor
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+829.99 грн
30+ 647.1 грн
120+ 609.03 грн
NVHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+751.34 грн
Мінімальне замовлення: 450
NVHL075N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO247-3L SiC MOSFET, 650V, 57mohm, 38A
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+926.44 грн
10+ 854.04 грн
25+ 643.39 грн
100+ 605.71 грн
250+ 594.84 грн
450+ 548.47 грн
900+ 502.83 грн
NVHL075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.87 грн
5+ 810.34 грн
10+ 725 грн
50+ 653.59 грн
100+ 584.5 грн
250+ 529.47 грн
NVHL080N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1187.38 грн
10+ 810.65 грн
100+ 630.3 грн
NVHL080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+891.21 грн
Мінімальне замовлення: 450
NVHL080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1038.86 грн
10+ 934.87 грн
25+ 762.21 грн
50+ 757.14 грн
100+ 752.79 грн
250+ 749.89 грн
450+ 716.56 грн
NVHL080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1770.23 грн
5+ 1632.06 грн
10+ 1493.07 грн
50+ 1343.41 грн
100+ 1199.66 грн
NVHL080N120SC1
Код товару: 178409		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NVHL080N120SC1AONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+598.2 грн
5+ 565.69 грн
10+ 564.88 грн
50+ 523.78 грн
100+ 482.79 грн
250+ 482.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVHL080N120SC1AON Semiconductor
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL080N120SC1AonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.45 грн
30+ 612.71 грн
NVHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товар відсутній
NVHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL080N120SC1AonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 80mohm, 1200 V, M1, TO247-3L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 80 m?, TO247?3L
товар відсутній
NVHL082N65S3FON Semiconductor
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.7 грн
10+ 457.29 грн
100+ 340.11 грн
500+ 294.02 грн
NVHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL082N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 40 A, 82 mohm, TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+713.42 грн
10+ 603.25 грн
25+ 505.72 грн
100+ 492.68 грн
250+ 438.34 грн
450+ 372.41 грн
900+ 339.81 грн
NVHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL082N65S3HFON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVHL082N65S3HFonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 40 A, 82 mohm, TO-247 fast recovery
на замовлення 450 шт:
термін постачання 259-268 дні (днів)
1+617.06 грн
10+ 521.59 грн
25+ 410.81 грн
100+ 377.48 грн
250+ 355.02 грн
450+ 332.56 грн
900+ 299.96 грн
NVHL082N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3627 pF @ 400 V
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.78 грн
10+ 414.12 грн
100+ 306.21 грн
500+ 259.82 грн
NVHL095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.03 грн
30+ 384.2 грн
120+ 343.76 грн
510+ 284.65 грн
1020+ 256.19 грн
NVHL095N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 36A, 95mohm, 650V in TO-247
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.54 грн
10+ 424.11 грн
100+ 270.98 грн
450+ 249.96 грн
NVHL095N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 95MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 400 V
товар відсутній
NVHL095N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 95mohm, 36A FRFET fast recovery
товар відсутній
NVHL1000N170M1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.88 грн
10+ 430.77 грн
25+ 347.78 грн
100+ 311.55 грн
250+ 278.22 грн
450+ 272.42 грн
900+ 241.99 грн
NVHL110N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 30 A, 110 mohm, TO-247
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.57 грн
10+ 264.13 грн
25+ 228.95 грн
100+ 205.04 грн
NVHL110N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.26 грн
10+ 230.57 грн
100+ 198.81 грн
NVHL110N65S3FON Semiconductor
на замовлення 43848 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL110N65S3HFonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 30 A, 110 mohm, TO-247 fast recovery
товар відсутній
NVHL110N65S3HFON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVHL110N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2753 pF @ 400 V
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.03 грн
10+ 345.29 грн
100+ 252.61 грн
500+ 206.85 грн
NVHL160N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL160N120SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247-3L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 160 m?, TO247?3L
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.75 грн
10+ 536.59 грн
25+ 439.07 грн
NVHL160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.32 грн
5+ 537.25 грн
10+ 508.8 грн
50+ 471.7 грн
100+ 434.72 грн
250+ 434.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVHL160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.68 грн
30+ 424.83 грн