![NVH4L040N65S3F NVH4L040N65S3F](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE4TO247-40.jpg)
NVH4L040N65S3F ONSEMI
![ONSM-S-A0014066656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 812.28 грн |
5+ | 722.38 грн |
10+ | 631.69 грн |
50+ | 558.26 грн |
100+ | 509.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVH4L040N65S3F ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SuperFET III FRFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NVH4L040N65S3F за ціною від 540.24 грн до 1011.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVH4L040N65S3F | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5665 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NVH4L040N65S3F | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVH4L040N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
NVH4L040N65S3F | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 162.5A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NVH4L040N65S3F | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 162.5A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |