![NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/6129/488%7E340CX%7E%7E3.jpg)
NVHL060N090SC1 onsemi
![NVHL060N090SC1-D.PDF](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 842.08 грн |
75+ | 680.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVHL060N090SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 221W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NVHL060N090SC1 за ціною від 779.01 грн до 2150.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVHL060N090SC1 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NVHL060N090SC1 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 221W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
NVHL060N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 292 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
NVHL060N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
NVHL060N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |