Продукція > ONSEMI > NVHL070N120M3S
NVHL070N120M3S

NVHL070N120M3S onsemi

nvhl070n120m3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1713.55 грн
10+ 1465.7 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVHL070N120M3S onsemi

Description: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVHL070N120M3S за ціною від 1013.2 грн до 1841.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVHL070N120M3S NVHL070N120M3S Виробник : ONSEMI 4073643.pdf Description: ONSEMI - NVHL070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1771.54 грн
5+ 1620.66 грн
10+ 1468.99 грн
50+ 1321.23 грн
100+ 1180.06 грн
250+ 1013.2 грн
NVHL070N120M3S NVHL070N120M3S Виробник : onsemi NVHL070N120M3S_D-3368878.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1841.59 грн
10+ 1613.32 грн
25+ 1308.8 грн
50+ 1267.68 грн
100+ 1226.57 грн
250+ 1145.03 грн
450+ 1053.73 грн
NVHL070N120M3S NVHL070N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvhl070n120m3s-d.pdf Silicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL070N120M3S NVHL070N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvhl070n120m3s-d.pdf Silicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній