Продукція > ONSEMI > NVHL080N120SC1A
NVHL080N120SC1A

NVHL080N120SC1A ONSEMI

NVHL080N120SC1A-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+689.54 грн
5+ 603.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVHL080N120SC1A ONSEMI

Description: ONSEMI - NVHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 178W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NVHL080N120SC1A за ціною від 597.36 грн до 740.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVHL080N120SC1A NVHL080N120SC1A Виробник : onsemi nvhl080n120sc1a-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+740.3 грн
30+ 597.36 грн
NVHL080N120SC1A Виробник : ON Semiconductor nvhl080n120sc1a-d.pdf
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL080N120SC1A NVHL080N120SC1A Виробник : ON Semiconductor nvhl080n120sc1a-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL080N120SC1A NVHL080N120SC1A Виробник : ON Semiconductor nvhl080n120sc1a-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товар відсутній
NVHL080N120SC1A NVHL080N120SC1A Виробник : onsemi NVHL080N120SC1A_D-2319489.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 80mohm, 1200 V, M1, TO247-3L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 80 m?, TO247?3L
товар відсутній