![NVHL027N65S3F NVHL027N65S3F](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c0e23eaae048d5c72370d3c4210863f264b1172d/to-247.jpg)
NVHL027N65S3F ON Semiconductor
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 797.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVHL027N65S3F ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVHL027N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0215 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NVHL027N65S3F за ціною від 866.26 грн до 1408.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVHL027N65S3F | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVHL027N65S3F | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVHL027N65S3F | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVHL027N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
NVHL027N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NVHL027N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
NVHL027N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
NVHL027N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
NVHL027N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
NVHL027N65S3F | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |