![NVHL080N120SC1 NVHL080N120SC1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c0e23eaae048d5c72370d3c4210863f264b1172d/to-247.jpg)
NVHL080N120SC1 ON Semiconductor
![nvhl080n120sc1-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
450+ | 876.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVHL080N120SC1 ON Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVHL080N120SC1 за ціною від 689.25 грн до 1702.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVHL080N120SC1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVHL080N120SC1 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVHL080N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85413000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NVHL080N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NVHL080N120SC1 Код товару: 178409 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
NVHL080N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |