Продукція > IMZ

08+ S0T-363

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1 A T108

SOT26/SOT363

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1 T108

SOT26/SOT363

на замовлення 7640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ120R030M1H

Infineon

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ120R030M1H

Infineon SIC DISCRETE

товар відсутній

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2571.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

IMZ120R030M1HXKSA1

SiC MOSFETs Y

на замовлення 1901 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1527.66 грн
10+	1326.4 грн
25+	1023.36 грн
50+	1011.41 грн
100+	976.97 грн
240+	950.97 грн
480+	903.87 грн

IMZ120R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1700.71 грн
5+	1570.62 грн
10+	1440.52 грн
50+	1317.12 грн
100+	1069.83 грн
250+	1048.2 грн

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZ120R030M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 150A

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1884.42 грн
2+	1653.91 грн

IMZ120R030M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1401.24 грн
30+	1092.38 грн
120+	1028.11 грн

IMZ120R030M1HXKSA1

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2261.31 грн
2+	2061.03 грн

IMZ120R045M1XKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm

на замовлення 131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1433.42 грн
5+	1303.33 грн
10+	1172.44 грн
50+	1031.59 грн
100+	819.77 грн

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube

товар відсутній

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1798.06 грн

Мінімальне замовлення: 7

IMZ120R045M1XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...20V
Pulsed drain current: 130A
Case: TO247-4

товар відсутній

IMZ120R045M1XKSA1

Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1354.86 грн
10+	1159.64 грн
30+	1081.89 грн

IMZ120R045M1XKSA1

товар відсутній

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1793.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

IMZ120R045M1XKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1490.76 грн
10+	1306.19 грн
25+	1057.8 грн
50+	993.84 грн
100+	961.51 грн
240+	937.61 грн
480+	852.57 грн

IMZ120R060M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	878.15 грн
10+	589.01 грн
100+	444.02 грн

IMZ120R060M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 76A
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R060M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 720 шт:

термін постачання 379-388 дні (днів)

1+	1283.3 грн
10+	1163.12 грн
100+	853.97 грн
480+	759.79 грн

IMZ120R060M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	777.42 грн
5+	755.35 грн
10+	734.06 грн
50+	661.12 грн
100+	592.02 грн
250+	573.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 3470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	601.06 грн

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R060M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R090M1HXKSA1

SiC MOSFETs Y

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	741.28 грн
10+	652.29 грн
25+	499.73 грн
100+	454.05 грн
240+	438.58 грн
480+	359.86 грн
2640+	343.7 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	961.13 грн
5+	884.65 грн
10+	808.17 грн
50+	739.46 грн
100+	589.32 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	538.74 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 58W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 50A
Case: TO247-4

товар відсутній

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R090M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	777.03 грн
10+	659.44 грн
100+	570.32 грн
500+	485.04 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R140M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 32A
Case: TO247-4

товар відсутній

IMZ120R140M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R140M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	748.14 грн
10+	634.18 грн
100+	548.48 грн

IMZ120R140M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R140M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	686.34 грн
10+	663.6 грн
25+	454.05 грн
100+	434.37 грн
240+	398.52 грн
480+	391.49 грн
1200+	385.87 грн

IMZ120R140M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	557.44 грн
5+	536.94 грн
10+	516.44 грн
50+	460.52 грн
100+	407.52 грн
250+	389.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ120R140M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IMZ120R220M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	765.88 грн
10+	670.07 грн
25+	553.15 грн
100+	484.97 грн
240+	471.62 грн
480+	385.87 грн

IMZ120R220M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	741.94 грн
5+	651.27 грн
10+	560.6 грн
50+	479.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZ120R220M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 416mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 21A
Case: TO247-4

товар відсутній

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	612.7 грн

IMZ120R220M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	748.14 грн
10+	617.86 грн
100+	514.9 грн

IMZ120R220M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R350M1H

Infineon SIC DISCRETE

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 15360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	514.22 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 662mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 13A
Case: TO247-4

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	312.5 грн
42+	293.03 грн
50+	284.84 грн

Мінімальне замовлення: 39

IMZ120R350M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	696.18 грн
10+	621.57 грн
100+	455.45 грн
480+	356.35 грн

IMZ120R350M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	648.54 грн
10+	535.64 грн
100+	446.42 грн

IMZ120R350M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	543.68 грн
10+	510.33 грн
100+	461.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	585.5 грн
22+	549.58 грн
100+	497.11 грн

Мінімальне замовлення: 21

IMZ120R350M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	589.77 грн
5+	529.06 грн
10+	468.35 грн
50+	415.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ1A T108

SO163-Z1

на замовлення 2629 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108

SOT26

на замовлення 5486 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108

SOT23-

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108

SOT26/SOT363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108 SO163-Z1

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108 SO163-Z1

на замовлення 5258 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A/Z1

09+

на замовлення 22818 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A108-T

0430+

на замовлення 7835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A108-T

0430+

на замовлення 7835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified

товар відсутній

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO

товар відсутній

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO

на замовлення 2966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.73 грн
12+	25.19 грн
100+	14.26 грн
500+	8.86 грн
1000+	6.8 грн

Мінімальне замовлення: 9

IMZ1AS-S1-00001

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

IMZ1AS_S1_00001

Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L

товар відсутній

IMZ1AS_S1_00001

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6

товар відсутній

IMZ1AS_S1_00001

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6

товар відсутній

IMZ1AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 19477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.09 грн
16+	18.67 грн
100+	11.2 грн
500+	9.74 грн
1000+	6.62 грн

Мінімальне замовлення: 13

IMZ1AT108

Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 300mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA

на замовлення 1832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.64 грн
500+	7.69 грн
1000+	5 грн

Мінімальне замовлення: 100

IMZ1AT108

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Frequency: 180MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2934 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	55.84 грн
24+	43.93 грн
65+	41.56 грн
500+	40.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

IMZ1AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.74 грн
6000+	6.22 грн
9000+	5.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IMZ1AT108

на замовлення 1832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	30.28 грн
41+	19.48 грн
100+	10.64 грн
500+	7.69 грн
1000+	5 грн

Мінімальне замовлення: 27

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 41926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.47 грн
28+	21.33 грн
31+	19.27 грн
50+	17.07 грн
100+	8.73 грн
250+	8.3 грн
500+	7.29 грн
1000+	6.02 грн
3000+	5.53 грн

Мінімальне замовлення: 20

IMZ1AT108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457

на замовлення 5168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.47 грн
16+	20.85 грн
100+	10.05 грн
1000+	6.89 грн
3000+	5.27 грн
9000+	5.2 грн

Мінімальне замовлення: 12

IMZ1AT108

ROHM SEMICONDUCTOR

на замовлення 2934 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	55.19 грн
9+	44.81 грн
24+	36.61 грн
65+	34.63 грн
500+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

IMZ1AT108SOT163-Z1PB-FREE

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1T108

03+ SOT23-6

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2

SOT-23-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2

SOT26/

на замовлення 831 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2A

SOT-163

на замовлення 778000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2A

07+ SOT-163

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2AT108

на замовлення 5598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.37 грн
15+	20.21 грн
100+	12.12 грн
500+	10.53 грн
1000+	7.16 грн

Мінімальне замовлення: 12

IMZ2AT108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA

товар відсутній

IMZ2AT108

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IMZ2A_R1_00001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50/50V IC-150/150mA SOT23-6L

товар відсутній

IMZ2A_R1_10001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товар відсутній

IMZ2A_R2_00001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товар відсутній

IMZ2A_R2_10001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товар відсутній

IMZ2T108

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ4

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

IMZ4 FRAT108

SOT26/SOT363

на замовлення 1624 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ4 T108

0805+ SOT23-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ4T108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 32V 500MA

на замовлення 1091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.91 грн
1000+	17.64 грн
3000+	6.54 грн
9000+	5.9 грн
24000+	5.76 грн
45000+	5.55 грн

Мінімальне замовлення: 11

IMZ4T108

Description: TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6

товар відсутній

IMZ4T108

Rochester Electronics, LLC

Description: TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6

товар відсутній

IMZ9972BA

Description: IMZ9972BA

на замовлення 7178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IMZA120R007M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA120R007M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 353 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5002.82 грн
10+	4469.82 грн
25+	3752.55 грн
50+	3618.31 грн
100+	3484.77 грн
240+	3450.33 грн

IMZA120R007M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4221.2 грн
30+	3572.22 грн
120+	3325.86 грн

IMZA120R007M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6239.88 грн

IMZA120R014M1HXKSA1

MOSFET

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3606.36 грн
10+	3167.67 грн
25+	2591.43 грн
50+	2504.28 грн
100+	2417.83 грн
240+	2330.67 грн
480+	2223.14 грн

IMZA120R014M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 25 V

на замовлення 853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2375.94 грн
30+	1896.47 грн
120+	1777.93 грн

IMZA120R014M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3467.65 грн
5+	3187.75 грн
10+	2907.06 грн
50+	2608.62 грн
100+	2324.84 грн

IMZA120R020M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1621.14 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA120R020M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 213A
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZA120R020M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA120R020M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2025.4 грн
10+	1775 грн
25+	1439.45 грн
50+	1395.17 грн
100+	1349.49 грн
240+	1258.82 грн
480+	1157.61 грн

IMZA120R020M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1653.66 грн
30+	1320.2 грн
120+	1237.69 грн

IMZA120R020M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2291.27 грн
5+	2095.73 грн
10+	1900.19 грн
50+	1708.82 грн
100+	1526.69 грн

IMZA120R030M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

товар відсутній

IMZA120R030M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V

товар відсутній

IMZA120R040M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1187.36 грн
10+	1031.37 грн
25+	872.95 грн
50+	823.75 грн
100+	775.25 грн
240+	750.65 грн
480+	702.15 грн

IMZA120R040M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 nF @ 25 V

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1272.75 грн
30+	992.05 грн

IMZA120R040M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1344.33 грн
5+	1248.13 грн
10+	1151.15 грн
50+	1009.62 грн
100+	848.84 грн

IMZA65R007M2HXKSA1

SiC MOSFETs Y

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2945.44 грн
10+	2677.85 грн
25+	2223.84 грн
50+	2222.43 грн
100+	1988.38 грн
240+	1896.31 грн
1200+	1895.61 грн

IMZA65R007M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2701.35 грн
10+	2399.16 грн
30+	2291.31 грн
120+	1922.63 грн
270+	1834.09 грн

IMZA65R015M2HXKSA1

SiC MOSFETs Y

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1505.52 грн
10+	1340.95 грн
25+	1099.97 грн
50+	1068.34 грн
100+	1009.3 грн
240+	969.24 грн
480+	881.38 грн

IMZA65R015M2HXKSA1

IMZA65R015M2HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R020M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1513.06 грн
5+	1405.83 грн
10+	1297.81 грн
50+	1137.75 грн
100+	956.97 грн

IMZA65R020M2HXKSA1

SiC MOSFETs Y

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1366.12 грн
10+	1236.68 грн
25+	1031.09 грн
100+	908.79 грн
240+	845.54 грн
480+	791.42 грн
1200+	754.87 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 184A
Gate-source voltage: -5...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZA65R027M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1881.92 грн
10+	1698.35 грн
100+	1467.03 грн
240+	1303.82 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V

на замовлення 316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1268.18 грн
30+	989 грн
120+	930.82 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 211 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1334.14 грн
10+	1251.23 грн
25+	949.56 грн
50+	945.34 грн
100+	900.36 грн
240+	884.19 грн
480+	816.02 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2026.68 грн
10+	1828.99 грн
100+	1579.88 грн
240+	1404.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

IMZA65R027M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

товар відсутній

IMZA65R027M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1258.38 грн
5+	1159.04 грн
10+	1059.69 грн
50+	957.64 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1606.57 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R030M1HXKSA1

SP005423795

товар відсутній

IMZA65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1285.7 грн
10+	1216.31 грн
100+	1094.68 грн

IMZA65R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1420.02 грн
5+	1319.1 грн
10+	1217.38 грн
50+	1067.46 грн
100+	898.17 грн

IMZA65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1384.6 грн
10+	1309.87 грн
100+	1178.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

IMZA65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1342.48 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R030M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1126.01 грн
30+	877.45 грн
120+	825.84 грн

IMZA65R030M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1512.08 грн
10+	1378.94 грн
100+	1031.79 грн
480+	950.97 грн
1200+	928.47 грн

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZA65R039M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	841.65 грн
30+	646.92 грн

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1063.63 грн
10+	1004.68 грн

IMZA65R039M1HXKSA1

SiC MOSFETs Y

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	941.36 грн
10+	838.19 грн
100+	603.05 грн
480+	525.03 грн
1200+	456.86 грн
2640+	439.99 грн
5040+	419.61 грн

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZA65R039M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1151.94 грн
5+	1067.58 грн
10+	983.21 грн
50+	893.95 грн
100+	723.13 грн

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1145.45 грн
12+	1081.97 грн

Мінімальне замовлення: 11

IMZA65R040M2HXKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	939.72 грн
10+	815.56 грн
25+	690.21 грн
50+	651.55 грн
100+	613.59 грн
240+	593.21 грн
480+	555.96 грн

IMZA65R048M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V

на замовлення 427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	520.05 грн
30+	400.31 грн
120+	370.92 грн

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1084.86 грн

Мінімальне замовлення: 12

IMZA65R048M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	530.63 грн
5+	520.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 100A
Gate-source voltage: -5...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 1017 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	865.92 грн
10+	789.7 грн
25+	547.53 грн
50+	545.42 грн
100+	525.03 грн
240+	520.82 грн
480+	467.4 грн

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	985.9 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R050M2HXKSA1

SiC MOSFETs Y

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	751.94 грн
10+	669.26 грн
25+	555.26 грн
100+	481.46 грн
240+	435.77 грн
480+	403.44 грн
1200+	357.75 грн

IMZA65R050M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V

товар відсутній

IMZA65R057M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	879.13 грн
5+	795.56 грн
10+	711.98 грн
50+	624.52 грн

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	877.93 грн
100+	806.57 грн

Мінімальне замовлення: 14

IMZA65R057M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V

товар відсутній

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	856.34 грн
10+	815.22 грн
100+	748.96 грн

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	853.32 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R057M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1148 грн
10+	1039.46 грн
100+	763.3 грн
480+	610.08 грн
1200+	595.32 грн
2640+	589.7 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	781.18 грн
17+	741.4 грн
100+	680.41 грн

Мінімальне замовлення: 16

IMZA65R072M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 94mΩ
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 69A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZA65R072M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R072M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	815.85 грн
17+	750.59 грн
100+	659.84 грн
480+	553.91 грн

Мінімальне замовлення: 15

IMZA65R072M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	871.66 грн
10+	735.54 грн
25+	580.56 грн
100+	533.47 грн
240+	501.84 грн
480+	470.91 грн
1200+	423.82 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	832.04 грн
10+	765.49 грн
100+	672.93 грн
480+	564.9 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	886.23 грн
5+	768.75 грн
10+	651.27 грн
50+	563.75 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	795.28 грн
30+	611.19 грн
120+	546.87 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	725.38 грн
10+	688.44 грн
100+	631.81 грн

IMZA65R083M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	830.66 грн
10+	710.48 грн
25+	588.29 грн
100+	544.01 грн
480+	480.75 грн
1200+	423.12 грн
2640+	417.5 грн

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	754.74 грн
17+	714.48 грн
100+	644.01 грн

Мінімальне замовлення: 16

IMZA65R083M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	847.6 грн
5+	753.77 грн
10+	659.94 грн
50+	590.11 грн
100+	523.09 грн

IMZA65R083M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	904.76 грн
10+	800.96 грн

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	700.83 грн
10+	663.45 грн
100+	598 грн

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	698.42 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	618.44 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1175.26 грн

Мінімальне замовлення: 11

IMZA65R107M1HXKSA1

SiC MOSFETs Y

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	528.08 грн
10+	446.17 грн
25+	316.99 грн
100+	296.61 грн
240+	293.79 грн
480+	256.54 грн
1200+	244.59 грн

IMZA65R107M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	615.79 грн
5+	553.5 грн
10+	490.42 грн
50+	431.96 грн
100+	377.11 грн
250+	321.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZA65R107M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	485.07 грн
30+	373.12 грн
120+	333.84 грн

IMZA75R016M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1962.26 грн
10+	1718.42 грн
25+	1394.47 грн
50+	1350.19 грн
100+	1307.31 грн
240+	1218.75 грн
480+	1121.06 грн

IMZA75R016M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1831.57 грн
10+	1626.46 грн
30+	1553.31 грн
120+	1303.38 грн

IMZA75R060M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	828.2 грн
10+	699.98 грн
25+	551.74 грн
100+	506.76 грн
240+	477.24 грн
480+	447.02 грн
1200+	402.74 грн

IMZA75R140M1HXKSA1

IMZA75R140M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA75R140M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	464.54 грн
10+	401.43 грн
30+	379.52 грн
120+	308.66 грн

IMZA75R140M1HXKSA1