![IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/ba1f5e078b6234a2c44c93f9a53e33b823c90f49/ds05-127-2-04bk-smt-tr.jpg)
IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies
![infineon-imza65r072m1h-datasheet-v02_00-en.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 725.38 грн |
10+ | 688.44 грн |
100+ | 631.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMZA65R072M1HXKSA1 за ціною від 423.82 грн до 886.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 94mΩ Drain current: 18A Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...23V Pulsed drain current: 69A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 94mΩ Drain current: 18A Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...23V Pulsed drain current: 69A Mounting: THT |
товар відсутній |