IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 13496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 872.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V.
Інші пропозиції IMZ120R030M1HXKSA1 за ціною від 811.9 грн до 2577.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZ120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 2096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ120R030M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ120R030M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 45A On-state resistance: 57mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 150A Case: TO247-4 |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZ120R030M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 45A On-state resistance: 57mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 150A Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V |
товар відсутній |