на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 754.65 грн |
10+ | 671.67 грн |
25+ | 557.26 грн |
100+ | 483.19 грн |
240+ | 462.03 грн |
480+ | 359.04 грн |
2640+ | 346.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V, Power Dissipation (Max): 153W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMZA65R050M2HXKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IMZA65R050M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V |
товар відсутній |