IMZA65R030M1HXKSA1

IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IMZA65R030M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0337d93c59 Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1116.48 грн
30+ 870.03 грн
120+ 818.85 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V, Power Dissipation (Max): 197W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +20V, -2V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IMZA65R030M1HXKSA1 за ціною від 890.57 грн до 1499.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMZA65R030M1HXKSA1 IMZA65R030M1HXKSA1 Виробник : INFINEON 3629238.pdf Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1408.01 грн
5+ 1307.94 грн
10+ 1207.09 грн
50+ 1058.44 грн
100+ 890.57 грн
IMZA65R030M1HXKSA1 IMZA65R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMZA65R030M1H_DataSheet_v02_00_EN-3163928.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1499.29 грн
10+ 1367.27 грн
100+ 1023.07 грн
480+ 942.92 грн
1200+ 920.62 грн
IMZA65R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r030m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1288.84 грн
10+ 1219.27 грн
100+ 1097.35 грн
IMZA65R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r030m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+1345.75 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMZA65R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r030m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+1387.98 грн
10+ 1313.06 грн
100+ 1181.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
IMZA65R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r030m1h-datasheet-v02_00-en.pdf SP005423795
товар відсутній