IMZ120R140M1HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 552.73 грн |
| 5+ | 532.4 грн |
| 10+ | 512.07 грн |
| 50+ | 456.62 грн |
| 100+ | 404.08 грн |
| 250+ | 386.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R140M1HXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMZ120R140M1HXKSA1 за ціною від 382.61 грн до 741.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZ120R140M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZ120R140M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IMZ120R140M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IMZ120R140M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IMZ120R140M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 13A On-state resistance: 265mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 32A Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IMZ120R140M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 13A On-state resistance: 265mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 32A Case: TO247-4 |
товар відсутній |