![IMZ120R090M1HXKSA1 IMZ120R090M1HXKSA1](https://www.mouser.com/images/infineon/lrg/TO_247_4_DSL.jpg)
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 735.01 грн |
10+ | 646.77 грн |
25+ | 495.51 грн |
100+ | 450.21 грн |
240+ | 434.87 грн |
480+ | 356.82 грн |
2640+ | 340.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V.
Інші пропозиції IMZ120R090M1HXKSA1 за ціною від 480.94 грн до 953.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V |
на замовлення 602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 18A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 50A Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 18A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 50A Case: TO247-4 |
товар відсутній |