![IMZ120R060M1HXKSA1 IMZ120R060M1HXKSA1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3223684-40.jpg)
IMZ120R060M1HXKSA1 INFINEON
![2830781.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 770.85 грн |
5+ | 748.96 грн |
10+ | 727.85 грн |
50+ | 655.53 грн |
100+ | 587.02 грн |
250+ | 568.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R060M1HXKSA1 INFINEON
Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V.
Інші пропозиції IMZ120R060M1HXKSA1 за ціною від 591.18 грн до 1272.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 720 шт: термін постачання 379-388 дні (днів) |
|
||||||||||
IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||
IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||
IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 26A On-state resistance: 113mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 76A Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 26A On-state resistance: 113mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 76A Case: TO247-4 |
товар відсутній |