IMZA65R083M1HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 353.56 грн |
5+ | 352.75 грн |
10+ | 351.93 грн |
50+ | 326.04 грн |
100+ | 300.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R083M1HXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMZA65R083M1HXKSA1 за ціною від 430.37 грн до 932.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IMZA65R083M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IMZA65R083M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IMZA65R083M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IMZA65R083M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IMZA65R083M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IMZA65R083M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet |
товар відсутній |