Продукція > IHW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IHW15N120E1Infineon / IRIGBTs HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+183.69 грн
8+ 125.28 грн
20+ 118.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+229.71 грн
10+ 219.62 грн
25+ 181.75 грн
100+ 150.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1
Код товару: 185295		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+207.27 грн
10+ 198.16 грн
25+ 164 грн
100+ 135.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW15N120E1XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 156 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.52 грн
10+ 166.62 грн
100+ 126.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+177.34 грн
Мінімальне замовлення: 70
IHW15N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.43 грн
8+ 156.12 грн
20+ 142.19 грн
120+ 137.66 грн
480+ 136.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.7 грн
10+ 206.64 грн
25+ 145.63 грн
100+ 124.62 грн
240+ 122.45 грн
480+ 110.85 грн
1200+ 94.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.04 грн
30+ 141.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+223.21 грн
58+ 213.41 грн
70+ 176.61 грн
100+ 145.86 грн
Мінімальне замовлення: 56
IHW15N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A
товар відсутній
IHW15N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW15N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/282ns
Switching Energy: 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.8Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 357 W
товар відсутній
IHW15N120R2Infineon TechnologiesIGBTs REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A
товар відсутній
IHW15N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
товар відсутній
IHW15N120R3Infineon TechnologiesIGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.9 грн
10+ 208.3 грн
25+ 170.99 грн
100+ 149.25 грн
240+ 126.79 грн
1200+ 110.85 грн
5040+ 110.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3Infineon30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
IHW15N120R3
Код товару: 140007		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.74 грн
30+ 160.91 грн
120+ 132.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW15N120R3FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.71 грн
10+ 192.63 грн
100+ 143.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW15N120R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.98 грн
10+ 230.8 грн
25+ 171.71 грн
100+ 147.08 грн
240+ 142.73 грн
480+ 110.85 грн
1200+ 105.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
товар відсутній
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+138.46 грн
10+ 134.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW15T120INF07+;
на замовлення 13680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW15T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 113W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 113 W
товар відсутній
IHW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 113000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
товар відсутній
IHW20N120R2INFINEON07+ SOP20
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 330W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/359ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 330 W
товар відсутній
IHW20N120R2INFINEON
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
товар відсутній
IHW20N120R2 (маркування H20R1202)
Код товару: 105788		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
товар відсутній
IHW20N120R3Infineon TechnologiesIGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
товар відсутній
IHW20N120R3 (маркування H20R1203)
Код товару: 83109		InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 1200 V
Vce: 1,48 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 310 W
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1
Код товару: 118248		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N120R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.48 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.48
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/387ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 211 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N120R5Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+285 грн
46+ 272.76 грн
50+ 262.37 грн
100+ 244.42 грн
Мінімальне замовлення: 44
IHW20N120R5Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.35 грн
10+ 252.46 грн
25+ 177.51 грн
100+ 152.15 грн
240+ 149.98 грн
480+ 115.93 грн
1200+ 111.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R5Infineon TechnologiesDescription: IHW20N120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: -, 750µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
товар відсутній
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.53 грн
3+ 230.19 грн
5+ 187.17 грн
13+ 177.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N120R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.55 V, 288 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.91 грн
10+ 204.01 грн
100+ 133.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+305.18 грн
52+ 237.59 грн
53+ 235.54 грн
100+ 163.93 грн
200+ 150.87 грн
Мінімальне замовлення: 41
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.46 грн
10+ 221.46 грн
25+ 219.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+164.08 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW20N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+330.64 грн
3+ 286.85 грн
5+ 224.61 грн
13+ 212.83 грн
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.36 грн
30+ 165.81 грн
120+ 136.35 грн
510+ 107.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R3
Код товару: 133097		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N135R3Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+392.21 грн
10+ 324.95 грн
25+ 265.9 грн
100+ 209.39 грн
240+ 199.25 грн
480+ 186.93 грн
1200+ 179.68 грн
IHW20N135R3Infineon40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode   IHW20N135R3 TIHW20n135r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+166.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW20N135R3Infineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N135R3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+166.08 грн
78+ 157.73 грн
100+ 155.65 грн
Мінімальне замовлення: 74
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+374.3 грн
10+ 318.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
на замовлення 13692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+160.5 грн
Мінімальне замовлення: 132
IHW20N135R3FKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IHW20N135R3FKSA1 - IHW20N135 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+197.5 грн
Мінімальне замовлення: 127
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW20N135R5Infineon technologies
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N135R5Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.55 грн
10+ 237.47 грн
25+ 194.9 грн
100+ 167.37 грн
240+ 157.22 грн
480+ 147.8 грн
1200+ 126.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5 транзистор IGBT 40A ( IHW20N135R5XKSA1)
Код товару: 162475		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N135R5XKSAInfineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
товар відсутній
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+110.6 грн
Мінімальне замовлення: 112
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.72 грн
10+ 244.13 грн
25+ 188.38 грн
100+ 167.37 грн
240+ 157.22 грн
480+ 151.43 грн
1200+ 119.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+248.85 грн
54+ 229.25 грн
59+ 208.56 грн
100+ 177.85 грн
240+ 160.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N135R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 288 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.48 грн
10+ 212.14 грн
100+ 165.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+275.04 грн
6+ 205.97 грн
15+ 187.47 грн
60+ 181.13 грн
120+ 180.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+233.96 грн
10+ 215.54 грн
25+ 196.09 грн
100+ 167.21 грн
240+ 150.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.2 грн
6+ 165.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.16 грн
10+ 183.11 грн
25+ 171.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.44 грн
30+ 179.85 грн
120+ 148.25 грн
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+158.24 грн
10+ 143.1 грн
25+ 138.23 грн
50+ 131.97 грн
100+ 107.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW20N140R5LXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N140R5LXKSA1 - IGBT, 40 A, 1.7 V, 211 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.33 грн
10+ 167.43 грн
100+ 126.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+170.41 грн
Мінімальне замовлення: 73
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/150ns
Switching Energy: -, 70µJ (off)
Test Condition: 25V, 20A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 211 W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.91 грн
30+ 157.66 грн
120+ 135.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1400 V, 20 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.93 грн
10+ 181.64 грн
25+ 149.25 грн
100+ 127.52 грн
240+ 120.27 грн
480+ 112.3 грн
1200+ 96.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5Infineon TechnologiesDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 82 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 540µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товар відсутній
IHW20N65R5Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.97 грн
10+ 108.32 грн
100+ 82.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+124.14 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 257ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 257ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1
Код товару: 182097		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+136.21 грн
Мінімальне замовлення: 91
IHW20N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.87 грн
10+ 123.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.48 грн
30+ 94.39 грн
120+ 79.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
товар відсутній
IHW20T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 20A
товар відсутній
IHW20T120INF07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 178W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 28Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 178 W
товар відсутній
IHW25N120MODULE
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120E1Infineon / IRIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+149.19 грн
10+ 138.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.34 грн
10+ 198.32 грн
100+ 133.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+166.81 грн
79+ 155.66 грн
80+ 154.6 грн
100+ 137.31 грн
Мінімальне замовлення: 74
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.76 грн
10+ 218.3 грн
25+ 154.33 грн
240+ 143.46 грн
480+ 114.48 грн
1200+ 107.96 грн
2640+ 107.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+154.89 грн
10+ 144.54 грн
25+ 143.56 грн
100+ 127.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.01 грн
30+ 164.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW25N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A
товар відсутній
IHW25N120R2Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 50A 365W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: -/324ns
Switching Energy: 1.59mJ
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 60.7 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 365 W
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW25N120R2FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 365 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1400V 68A TO247-44
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/195ns
Switching Energy: -, 110µJ (off)
Test Condition: 25V, 25A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.1 грн
30+ 165.69 грн
120+ 142.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1400 V, 25 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.68 грн
10+ 195.81 грн
25+ 160.85 грн
100+ 138.39 грн
240+ 129.69 грн
480+ 121.72 грн
1200+ 104.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N100RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/846ns
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 209 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
товар відсутній
IHW30N100TINFINEONMODULE
на замовлення 100059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N100TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/546ns
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
товар відсутній
IHW30N100TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.39 грн
10+ 327.45 грн
25+ 269.53 грн
100+ 233.3 грн
240+ 220.98 грн
480+ 198.52 грн
1200+ 181.86 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N110R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.91 грн
10+ 202.38 грн
100+ 153.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N110R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-off time: 470ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 166W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 180nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.1kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+342.99 грн
3+ 280.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.39 грн
10+ 327.45 грн
25+ 269.53 грн
100+ 260.11 грн
240+ 220.98 грн
480+ 198.52 грн
1200+ 181.86 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IHW30N110R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-off time: 470ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 166W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 180nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.1kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+411.59 грн
3+ 349.87 грн
4+ 292.53 грн
10+ 276.23 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+158.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N110R3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TO-247-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Gate Charge: 240 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.32 грн
30+ 142.72 грн
120+ 122.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N110R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.51 грн
10+ 325.11 грн
25+ 279.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+193.36 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.18 грн
25+ 157.48 грн
100+ 118.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+272.41 грн
51+ 242.92 грн
53+ 227.6 грн
100+ 187.34 грн
Мінімальне замовлення: 46
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+252.95 грн
10+ 225.72 грн
25+ 225.57 грн
50+ 211.35 грн
100+ 173.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
товар відсутній
IHW30N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
товар відсутній
IHW30N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 60A 390W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/792ns
Switching Energy: 3.1mJ
Test Condition: 600V, 30A, 28Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 390 W
товар відсутній
IHW30N120R3Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW30N120R3Infineon technologies
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 60A 349W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: -/326ns
Switching Energy: 1.47mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+350.68 грн
37+ 337.58 грн
38+ 328.06 грн
50+ 307.44 грн
100+ 278.45 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IHW30N120R3FKSA1 - IHW30N120 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.63 грн
10+ 313.47 грн
25+ 304.63 грн
50+ 285.48 грн
100+ 258.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+185.79 грн
10+ 177.67 грн
25+ 161.11 грн
100+ 143.01 грн
240+ 131.99 грн
480+ 113.53 грн
1200+ 109.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 363ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.71 грн
6+ 171.32 грн
15+ 161.51 грн
60+ 159.25 грн
120+ 155.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.42 грн
10+ 225.95 грн
100+ 166.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+200.04 грн
65+ 191.29 грн
71+ 173.46 грн
100+ 153.97 грн
240+ 142.12 грн
480+ 122.23 грн
1200+ 117.7 грн
Мінімальне замовлення: 62
IHW30N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 363ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+298.45 грн
6+ 213.49 грн
15+ 193.81 грн
60+ 191.1 грн
120+ 186.57 грн
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.52 грн
10+ 241.77 грн
25+ 200.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.55 грн
10+ 275.79 грн
25+ 189.1 грн
100+ 163.74 грн
240+ 146.36 грн
480+ 144.18 грн
1200+ 124.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/330ns
Switching Energy: 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.8 грн
30+ 181.59 грн
120+ 149.74 грн
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N135R3
Код товару: 187683		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N135R3Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.51 грн
10+ 332.45 грн
25+ 273.15 грн
100+ 234.02 грн
240+ 220.98 грн
480+ 207.94 грн
1200+ 184.76 грн
IHW30N135R3Infineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/337ns
Switching Energy: 1.93mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.09 грн
10+ 305.79 грн
25+ 253.59 грн
100+ 223.16 грн
240+ 213.01 грн
480+ 202.87 грн
1200+ 184.76 грн
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/337ns
Switching Energy: 1.93mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+98.9 грн
9+ 72.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
IHW30N135R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 263nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 510ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N135R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+385.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+151.89 грн
82+ 151.57 грн
86+ 143.62 грн
100+ 132.41 грн
Мінімальне замовлення: 81
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.71 грн
10+ 279.13 грн
25+ 199.25 грн
100+ 178.24 грн
240+ 177.51 грн
480+ 139.83 грн
1200+ 131.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+146.37 грн
10+ 145.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW30N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 680ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.28 грн
5+ 184.15 грн
14+ 173.59 грн
30+ 171.32 грн
60+ 166.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.86 грн
10+ 224.33 грн
100+ 157.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/310ns
Switching Energy: 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.56 грн
50+ 222.28 грн
100+ 190.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+186.39 грн
Мінімальне замовлення: 66
IHW30N135R5XKSA1
Код товару: 183681		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 680ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+326.74 грн
5+ 229.48 грн
14+ 208.3 грн
30+ 205.59 грн
60+ 200.15 грн
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+141.04 грн
10+ 140.74 грн
25+ 133.36 грн
100+ 122.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+182.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N140R5LXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N140R5LXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 306 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+404.76 грн
10+ 360.87 грн
100+ 303.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+196.27 грн
Мінімальне замовлення: 63
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1400V 80A TO247-44
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: -, 140µJ (off)
Test Condition: 25V, 30A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.17 грн
30+ 193.28 грн
120+ 159.74 грн
IHW30N140R5LXKSA1
Код товару: 196050		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1400 V, 30 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.6 грн
10+ 259.96 грн
25+ 213.01 грн
100+ 182.58 грн
240+ 171.71 грн
480+ 161.57 грн
1200+ 138.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N160R2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 30A; 312W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 675ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N160R2Infineon TechnologiesIGBTs RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товар відсутній
IHW30N160R2
Код товару: 53306		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N160R2FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
Verlustleistung Pd: 312
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.6
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.63 грн
10+ 417.66 грн
50+ 392.12 грн
100+ 355.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/525ns
Switching Energy: 4.37mJ
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBTs RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товар відсутній
IHW30N160R5Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+480.47 грн
27+ 459.83 грн
50+ 442.31 грн
100+ 412.04 грн
Мінімальне замовлення: 26
IHW30N160R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N160R5FKSA1Infineon TechnologiesIHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5FKSA1Infineon TechnologiesIHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1InfineonReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+338 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.76 грн
10+ 375.78 грн
25+ 255.04 грн
100+ 221.71 грн
240+ 220.98 грн
480+ 169.54 грн
1200+ 160.12 грн
IHW30N160R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Resonant Switching Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+419.39 грн
10+ 292.6 грн
100+ 195.07 грн
500+ 175.85 грн
1000+ 156.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+498.74 грн
30+ 418.86 грн
50+ 322.59 грн
100+ 282.43 грн
200+ 245.97 грн
480+ 216.82 грн
960+ 190.48 грн
1920+ 178.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
на замовлення 5472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.74 грн
30+ 227.62 грн
120+ 189.21 грн
510+ 151.08 грн
1020+ 145.09 грн
IHW30N160R5XKSA1
Код товару: 180199		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+394.03 грн
5+ 271.8 грн
12+ 248.15 грн
30+ 247.25 грн
60+ 238.19 грн
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+317.63 грн
10+ 312.5 грн
25+ 240.5 грн
100+ 210.97 грн
240+ 193.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.36 грн
5+ 218.11 грн
12+ 206.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+334.45 грн
48+ 257.39 грн
100+ 225.8 грн
240+ 206.99 грн
Мінімальне замовлення: 37
IHW30N160R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 39A; 1600V; 131,5W; Корпус: TO-247; Infineon
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+344.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N60TInfineon TechnologiesDescription: IHW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IHW30N60TMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IHW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IHW30N65R5Rochester Electronics, LLCDescription: IHW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IHW30N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N65R5Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 228ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 228ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns
Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.93 грн
10+ 178.49 грн
100+ 125.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N65R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 176 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35
Verlustleistung Pd: 176
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.78 грн
10+ 197.47 грн
25+ 149.25 грн
100+ 128.24 грн
240+ 118.82 грн
480+ 97.09 грн
1200+ 91.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesReverse-Conducting IGBT with Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns
Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 163 W
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.15 грн
30+ 149.01 грн
120+ 127.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 65A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.37 грн
10+ 147.93 грн
25+ 119.48 грн
240+ 98.87 грн
720+ 89.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.01 грн
10+ 204.97 грн
25+ 144.91 грн
100+ 123.9 грн
240+ 123.17 грн
480+ 94.19 грн
1200+ 88.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399486
товар відсутній
IHW30N90RInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 900V 60A 454W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/511ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 454 W
товар відсутній
IHW30N90RXKInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90TINF07+;
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N90TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
товар відсутній
IHW30N90TInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 60A, 900V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/556ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+197.32 грн
Мінімальне замовлення: 113
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 900V 60A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/556ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 30A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
товар відсутній
IHW40N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N120R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 429 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 429000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 80A 429W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/336ns
Switching Energy: 2.02mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 429 W
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW40N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1
Код товару: 175988		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+487.82 грн
32+ 392.76 грн
50+ 370.83 грн
100+ 306.21 грн
Мінімальне замовлення: 26
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.15 грн
10+ 335.78 грн
25+ 199.25 грн
100+ 165.19 грн
240+ 164.47 грн
480+ 144.91 грн
1200+ 136.94 грн
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/420ns
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.58 грн
30+ 198.64 грн
120+ 164.38 грн
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N120R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 394 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.89 грн
10+ 334.05 грн
25+ 273.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+382.33 грн
5+ 232.3 грн
13+ 211.93 грн
60+ 203.78 грн
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.61 грн
5+ 186.42 грн
13+ 176.6 грн
60+ 169.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N135R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 429 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 80A 429W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/343ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 365 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 429 W
товар відсутній
IHW40N135R5Infineon TechnologiesInfineon HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 17590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+240.69 грн
10+ 228.19 грн
25+ 217.46 грн
100+ 191.39 грн
240+ 163.98 грн
480+ 147.24 грн
1200+ 141.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+402.81 грн
5+ 259.58 грн
12+ 236.38 грн
60+ 227.32 грн
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.68 грн
5+ 208.3 грн
12+ 196.98 грн
60+ 189.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 17589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+213.65 грн
61+ 204.47 грн
63+ 196.68 грн
100+ 183.22 грн
250+ 164.5 грн
500+ 153.63 грн
1000+ 149.87 грн
2500+ 146.56 грн
5000+ 143.64 грн
Мінімальне замовлення: 58
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.57 грн
25+ 286.63 грн
100+ 213.74 грн
240+ 206.49 грн
480+ 161.57 грн
1200+ 152.88 грн
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/410ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.25 грн
10+ 265.59 грн
100+ 190.73 грн
IHW40N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N135R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+384.44 грн
10+ 287.72 грн
100+ 198.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+168.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1 (H40PR5) ; Reverse conducting IGBT+диод; 40(80)A; 1350V; 394W; Корпус: TO-247; Infineon
Код товару: 182017		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
IHW40N135R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 40(80)A; 1350V; 394W; Корпус: TO-247; Infineon
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+351.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1400 V, 40 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.94 грн
10+ 299.12 грн
25+ 245.62 грн
100+ 210.11 грн
240+ 197.8 грн
480+ 186.21 грн
1200+ 159.4 грн
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1400V 80A TO247-44
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/225ns
Switching Energy: -, 240µJ (off)
Test Condition: 25V, 40A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 366 W
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.01 грн
30+ 256.81 грн
120+ 220.13 грн
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RINFINEONDescription: INFINEON - IHW40N60R - IGBT, 40 A, 2.4 V, 305 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 305
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.67 грн
10+ 354.95 грн
25+ 291.99 грн
100+ 265.18 грн
240+ 225.33 грн
480+ 215.19 грн
1200+ 197.07 грн
IHW40N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 15396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+178.64 грн
Мінімальне замовлення: 121
IHW40N60RF
Код товару: 101823		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW40N60RFInfineon TechnologiesIGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.87 грн
10+ 294.96 грн
25+ 241.99 грн
100+ 193.45 грн
240+ 184.76 грн
480+ 172.44 грн
1200+ 152.15 грн
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+347.61 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+171.77 грн
Мінімальне замовлення: 123
IHW40N60RFFKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IHW40N60RFFKSA1 - IHW40N60R DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+210.51 грн
Мінімальне замовлення: 119
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+175.99 грн
Мінімальне замовлення: 121
IHW40N60RFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.67 грн
10+ 354.95 грн
25+ 291.99 грн
100+ 252.86 грн
240+ 244.89 грн
480+ 218.81 грн
1200+ 209.39 грн
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IHW40N60RFKSA1 - IHW40N60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+184.5 грн
Мінімальне замовлення: 116
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N60T
на замовлення 6645 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40N65R5Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.67 грн
10+ 204.97 грн
25+ 159.4 грн
100+ 130.42 грн
240+ 105.78 грн
480+ 102.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R5Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+269.03 грн
10+ 189.38 грн
100+ 122.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW40N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+196.63 грн
73+ 170 грн
100+ 162.83 грн
200+ 156.03 грн
Мінімальне замовлення: 63
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+241.88 грн
10+ 239.46 грн
25+ 192.63 грн
50+ 183.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/258ns
Switching Energy: 630µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.82 грн
30+ 158.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+256.93 грн
60+ 206.68 грн
Мінімальне замовлення: 48
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Monolithic Integrated Diode
товар відсутній
IHW40N65R6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.34 грн
10+ 248.3 грн
25+ 153.6 грн
100+ 126.07 грн
240+ 125.34 грн
480+ 97.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 83A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 159 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 83 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 210 W
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.85 грн
30+ 152.5 грн
120+ 125.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.02 грн
10+ 180.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW40N65R6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399488
товар відсутній
IHW40T120INF07+;
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T120Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
товар відсутній
IHW40T120INFINEONMODULE
на замовлення 100100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+385.06 грн
Мінімальне замовлення: 55
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
товар відсутній
IHW40T60Infineon TechnologiesDescription: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+177.92 грн
Мінімальне замовлення: 134
IHW40T60Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast Recovery
товар відсутній
IHW40T60INF
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T60Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 303W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
на замовлення 10323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+218.93 грн
Мінімальне замовлення: 97
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 303W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
товар відсутній
IHW50N65R5Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.86 грн
10+ 235.8 грн
25+ 193.45 грн
100+ 165.92 грн
240+ 156.5 грн
480+ 147.08 грн
1200+ 130.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5Infineon technologies
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+181.37 грн
10+ 174.82 грн
25+ 155.58 грн
50+ 147.97 грн
100+ 123.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW50N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW50N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 282W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.92 грн
10+ 197.5 грн
100+ 164.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.42 грн
10+ 244.96 грн
25+ 170.27 грн
100+ 168.82 грн
240+ 160.85 грн
480+ 134.04 грн
1200+ 126.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+413.54 грн
3+ 351.75 грн
4+ 293.44 грн
10+ 277.13 грн
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+344.62 грн
3+ 282.27 грн
4+ 244.53 грн
10+ 230.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+148.37 грн
Мінімальне замовлення: 83
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.15 грн
10+ 279.13 грн
25+ 168.82 грн
100+ 139.11 грн
240+ 138.39 грн
480+ 110.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.64 грн
30+ 169.26 грн
120+ 139.25 грн
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399490
товар відсутній
IHW50N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 251
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.18 грн
10+ 290.97 грн
100+ 285.28 грн
Мінімальне замовлення: 3