![IHW40N135R5XKSA1 IHW40N135R5XKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/160764fe30c39103383bde1c8741e43049972514/to-247_rc-h5_reverse-conducting.jpg)
IHW40N135R5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 17589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
58+ | 210.07 грн |
61+ | 201.04 грн |
63+ | 193.39 грн |
100+ | 180.15 грн |
250+ | 161.74 грн |
500+ | 151.06 грн |
1000+ | 147.36 грн |
2500+ | 144.11 грн |
5000+ | 141.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW40N135R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/410ns, Switching Energy: 2mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 305 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 394 W.
Інші пропозиції IHW40N135R5XKSA1 за ціною від 138.98 грн до 472.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IHW40N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW40N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW40N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/410ns Switching Energy: 2mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 305 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW40N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW40N135R5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 394W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW40N135R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Kind of package: tube Power dissipation: 197W Gate charge: 305nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.35kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-off time: 0.5µs Type of transistor: IGBT |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW40N135R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Kind of package: tube Power dissipation: 197W Gate charge: 305nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.35kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-off time: 0.5µs Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW40N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IHW40N135R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |