IHW30N135R3FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 97.01 грн |
| 9+ | 70.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW30N135R3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW30N135R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 349W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції IHW30N135R3FKSA1 за ціною від 179.23 грн до 373.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IHW30N135R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IHW30N135R3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW30N135R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IHW30N135R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IHW30N135R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IHW30N135R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/337ns Switching Energy: 1.93mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 263 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 349 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IHW30N135R3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 30A Power dissipation: 175W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 263nC Kind of package: tube Turn-off time: 510ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
товар відсутній |