IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 157.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IHW30N110R3FKSA1 за ціною від 149.56 грн до 400.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Turn-off time: 470ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 166W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 180nC Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.1kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 90A |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Turn-off time: 470ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 166W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 180nC Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.1kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 90A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IHW30N110R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/350ns Switching Energy: 1.15mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 333 W |
товар відсутній |