![IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/9/6/13/19/813/smn_/manual/ikw50n65es5.jpg)
IHW20N120R5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW20N120R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW20N120R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.55 V, 288 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 288W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP™, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IHW20N120R5XKSA1 за ціною від 108.25 грн до 341.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 46080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 288W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/260ns Switching Energy: 750µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 288 W |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
IHW20N120R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |