IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 273.19 грн |
| 10+ | 226.81 грн |
| 25+ | 185.38 грн |
| 100+ | 158.9 грн |
| 240+ | 150.53 грн |
| 480+ | 141.47 грн |
| 1200+ | 121.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns, Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 282 W.
Інші пропозиції IHW50N65R5XKSA1 за ціною від 136.81 грн до 358.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IHW50N65R5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IHW50N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 282W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IHW50N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IHW50N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IHW50N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IHW50N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IHW50N65R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 50ns Turn-off time: 218ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IHW50N65R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 282 W |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IHW50N65R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 50ns Turn-off time: 218ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
товар відсутній |