IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 195.45 грн |
| 6+ | 148.82 грн |
| 16+ | 140.83 грн |
| 30+ | 137.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT 650V 83A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 99 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns, Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 159 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 83 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 210 W.
Інші пропозиції IHW40N65R6XKSA1 за ціною від 94.08 грн до 320.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IHW40N65R6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 83A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 99 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 159 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 83 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 210 W |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IHW40N65R6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IHW40N65R6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 54A Power dissipation: 105W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 159nC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 256ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IHW40N65R6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IHW40N65R6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005399488 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IHW40N65R6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT with Monolithic Integrated Diode |
товар відсутній |