IHW15N120R3FKSA1

IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies


infineon-ihw15n120r3-ds-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+131.03 грн
10+129.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IHW15N120R3FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IHW15N120R3FKSA1 за ціною від 101.73 грн до 304.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004848098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW15N120R3FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+219.76 грн
10+153.45 грн
100+142.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.42 грн
10+252.95 грн
25+151.22 грн
100+125.79 грн
240+124.41 грн
480+101.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+304.86 грн
30+162.37 грн
120+133.39 грн
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw15n120r3-ds-v02_05-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw15n120r3-ds-v02_05-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw15n120r3-ds-v02_05-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Power dissipation: 127W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Power dissipation: 127W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності