![IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/25/8/50/9/323/smn_/manual/product_picture_to247-3-21.jpg_148935309.jpg)
IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 106.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: -/300ns, Switching Energy: 700µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 254 W.
Інші пропозиції IHW15N120R3FKSA1 за ціною від 102.28 грн до 238.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IHW15N120R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW15N120R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW15N120R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW15N120R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW15N120R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/300ns Switching Energy: 700µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 254 W |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW15N120R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW15N120R3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW15N120R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IHW15N120R3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IHW15N120R3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 15A Power dissipation: 127W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Turn-off time: 346ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IHW15N120R3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 15A Power dissipation: 127W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Turn-off time: 346ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
товар відсутній |