Інші пропозиції IHW30N160R2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IHW30N160R2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IHW30N160R2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 30A; 312W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 30A Power dissipation: 312W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Turn-off time: 675ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
товар відсутній |