Продукція > IDH
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDH-10LP-S3-TR | 3M Interconnect Solutions | Conn Shrouded Header (4 Sides) HDR 10 POS 2.54mm Solder ST Top Entry Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-10PK1-S3-TR | 3M Interconnect Solutions | Conn Wire to Board HDR 10 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-14PK2-SR3-TG | 3M Interconnect Solutions | CONN Wire to Board HDR 14POS 2.54mm SOL THRU | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-14PK2-SR3-TR | 3M Interconnect Solutions | CONN Wire to Board HDR 14POS 2.54mm SOL THRU | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-16LP-S3-TR | 3M Interconnect Solutions | CONN Wire to Board HDR 16POS 2.54mm SOL THRU | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-16LP-SR3-TR | 3M Interconnect Solutions | CONN Wire to Board HDR 16POS 2.54mm SOL THRU | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-26PK-S3-TR | 3M Interconnect Solutions | Conn Wire to Board HDR 26 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-34PK2-SR3-TG30 | 3M Interconnect Solutions | Conn Wire to Board HDR 34 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-34PK2-SR3-TR | 3M Interconnect Solutions | CONN Wire to Board HDR 34POS 2.54mm SOL THRU | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-50LP-SR3-TR | 3M Interconnect Solutions | D0006445 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-50PK1-SR3-TG | 3M Interconnect Solutions | ACCESS D SUB JUNCTION SHELL PLASTIC | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-DB/DC-12 | J.S.T. Deutschland GmbH | HEAD ADAPTER DB SERIES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-DB/DC-12 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDB-12; DB/DC; IDC Related items: IDB-12 Connector series: DB/DC Type of spare part: adapter Kind of connector: IDC кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-DB/DC-12 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDB-12; DB/DC; IDC Related items: IDB-12 Connector series: DB/DC Type of spare part: adapter Kind of connector: IDC | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-DB/DC12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DB SERIES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-DD/DS-12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DD/DS SERIES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-DD/DS-12 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; DD/DS Type of spare part: adapter Connector series: DD/DS кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-DD/DS-12 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; DD/DS Type of spare part: adapter Connector series: DD/DS | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-DD/DS-12 | J.S.T. Deutschland GmbH | IDH Series Head Adaptor | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-DR-12 | J.S.T. Deutschland GmbH | Pistol Tool | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-KR-12 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDB-12; KR; IDC Type of spare part: adapter Connector series: KR Related items: IDB-12 Kind of connector: IDC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH-KR-12 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDB-12; KR; IDC Type of spare part: adapter Connector series: KR Related items: IDB-12 Kind of connector: IDC | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH-NR-12 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDB-12; NR; IDC Type of spare part: adapter Connector series: NR Related items: IDB-12 Kind of connector: IDC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH-NR-12 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDB-12; NR; IDC Type of spare part: adapter Connector series: NR Related items: IDB-12 Kind of connector: IDC | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH-NR-12 | J.S.T. Deutschland GmbH | Pistol Tool, Head Adaptor | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-SR-20 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDB-12; SR; IDC Type of spare part: adapter Connector series: SR Related items: IDB-12 Kind of connector: IDC кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-SR-20 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDB-12; SR; IDC Type of spare part: adapter Connector series: SR Related items: IDB-12 Kind of connector: IDC | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-SR-20 | J.S.T. Deutschland GmbH | Applicator For Pistol Tool | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-SSR-20 | J.S.T. Deutschland GmbH | Applicator For Pistol Tool | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-SSR-20 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER SSR SERIES | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH-VR-12 | J.S.T. Deutschland GmbH | Head Adaptor For Pistol Tool | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH-ZR(F)-20 | J.S.T. Deutschland GmbH | Applicator For Pistol Tool | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH02G120C5 | Infineon technologies | на замовлення 85 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDH02G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V | на замовлення 1961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH02G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH02G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; 75W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 37A Leakage current: 1.2µA Power dissipation: 75W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH02G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; 75W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 37A Leakage current: 1.2µA Power dissipation: 75W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH02G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 11.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH02G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH02G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 2A; 36W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 0.4µA Power dissipation: 36W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH02G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 2A; 36W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 0.4µA Power dissipation: 36W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH02G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 2A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH02G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH02G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 2A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH02SG120 | Infineon technologies | на замовлення 423 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDH02SG120 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH02SG120XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH03G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH03G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH03G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH03G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | 5th Generation thinQ SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH03G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH03G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 3 A, 5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 5 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH03SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH03SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | на замовлення 68889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH03SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH03SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH03SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH03SG60CXKSA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH03SG60CXKSA2 - IDH03SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 68889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH03SG60CXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 3A; 38W; TO220-2 Max. forward impulse current: 9.7A Power dissipation: 38W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: THT Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 2.8V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH03SG60CXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 3A; 38W; TO220-2 Max. forward impulse current: 9.7A Power dissipation: 38W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: THT Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 2.8V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH03SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH03SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Generation thinQ SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH03SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH03SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH03SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04E120 | INF | TO-220 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH04G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 48W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Power dissipation: 48W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward impulse current: 35A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 0.8µA кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 48W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Power dissipation: 48W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward impulse current: 35A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 0.8µA | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V | на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 7 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04G65C6 | Infineon Technologies | Infineon SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04G65C6 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 45W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Power dissipation: 45W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Max. forward impulse current: 23A Max. forward voltage: 1.4V Leakage current: 31µA кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04G65C6XKSA1 Код товару: 177207 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товар відсутній | ||||||||||||||||
IDH04G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 45W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Power dissipation: 45W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Max. forward impulse current: 23A Max. forward voltage: 1.4V Leakage current: 31µA | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V | на замовлення 10447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04S60C Код товару: 57914 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||
IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 18279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH04SG60CXKSA2 | Infineon | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDH04SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH04SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDH05G120C5XKSA1 THT Schottky diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 24 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: thinQ 5G 1200V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V | на замовлення 1745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 5A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH05G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ Gen V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05G65C5XKSA2 | Infineon | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: IDH05G65 - 600 V SILICION CARBID | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH05S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05S120AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05S120AKSA1 - IDH05S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 5A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 5A; 56W; PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Power dissipation: 56W Max. forward voltage: 2.1V Load current: 5A Max. forward impulse current: 26A Max. off-state voltage: 600V Leakage current: 0.4µA Case: PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | на замовлення 12303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05SG60CXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05SG60CXKSA1 - IDH05SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH05SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH05SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 6 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Produktpalette: thinQ Gen III SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 62W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Power dissipation: 62W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward impulse current: 54A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 1.2µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 62W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Power dissipation: 62W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward impulse current: 54A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 1.2µA | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH06G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 650 V | на замовлення 1316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH06G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 10nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 5252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 54W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Power dissipation: 54W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Max. forward impulse current: 30A Max. forward voltage: 1.25V Leakage current: 46µA кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH06G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 16 A, 9.6 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 54W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Power dissipation: 54W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Max. forward impulse current: 30A Max. forward voltage: 1.25V Leakage current: 46µA | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V | на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06S60C | Infineon Technologies | Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | на замовлення 8468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06S60CAKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH06S60CAKSA1 - IDH06S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06SG60C | Infineon technologies | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDH06SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH06SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 22.8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V | на замовлення 861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDH08G120C5XKSA1 THT Schottky diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 76W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Leakage current: 1.6µA Max. forward impulse current: 60A Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 76W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Heatsink thickness: 1.17...137mm Load current: 8A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 76W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Leakage current: 1.6µA Max. forward impulse current: 60A Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 76W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Heatsink thickness: 1.17...137mm Load current: 8A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 280 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 650V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 13 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: thinQ 5G 650V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 13 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08G65C5XKSA2 Код товару: 188944 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товар відсутній | ||||||||||||||||
IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDH08G65C6 THT Schottky diodes | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 418 шт: термін постачання 317-326 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V | на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08S120 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 7.5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08S120 | Rochester Electronics, LLC | Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH08S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A TO220 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08S120AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 7.5A, 27nC, TO-220 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kapazitive Blindleistung Qc: 27 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 7.5 Produktpalette: thinQ 2G 1200V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08S120AKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 7.5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Produktpalette: thinQ SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8A; 100W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Power dissipation: 100W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 42A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 0.6µA | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8A; 100W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Power dissipation: 100W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 42A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 0.6µA кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA2 | Infineon | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH09G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH09G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 9A; 82W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 9A Power dissipation: 82W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward impulse current: 65A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 1.8µA | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH09G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH09G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 310 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH09G65C5XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA1 - IDH09G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH09G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 650 V | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH09G65C5XKSA2 | Infineon | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDH09G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH09G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 9 A, 14 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ Gen V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH09G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH09G65C5XKSA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA2 - IDH09G65C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH09G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH09SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 9A; 115W; PG-TO220-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.8V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 49A Leakage current: 0.7µA Case: PG-TO220-2 Power dissipation: 115W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH09SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH09SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 9A; 115W; PG-TO220-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.8V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 49A Leakage current: 0.7µA Case: PG-TO220-2 Power dissipation: 115W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC кількість в упаковці: 500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH09SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH09SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH09SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH09SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH09SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH09SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH09SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH09SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Produktpalette: thinQ Gen III SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 165W; PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 165W Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A Leakage current: 4µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 99A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 165W; PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 165W Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A Leakage current: 4µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 99A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 4571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V | на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 89W; PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 89W Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A Leakage current: 2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 71A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 89W; PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 89W Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A Leakage current: 2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 71A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 340 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V | на замовлення 1389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | 650V SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 1243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10G65C5ZXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: IDH10G65C5X - 650V SILICON CARBI | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH10G65C5ZXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 72W; PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 72W Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Max. forward voltage: 1.25V Load current: 10A Leakage current: 77µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 44A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 72W; PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 72W Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Max. forward voltage: 1.25V Load current: 10A Leakage current: 77µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 44A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH10G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH10G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10S120 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH10S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10S120AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH10S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 10A, 36nC, TO-220 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kapazitive Blindleistung Qc: 36 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 10 Produktpalette: thinQ 2G 1200V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10S120AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S120AKSA1 - IDH10S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10S60C | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDH10S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10S60CAKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S60CAKSA1 - IDH10S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V | на замовлення 6810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10A; 120W; PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Power dissipation: 120W Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A Leakage current: 0.8µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 51A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10A; 120W; PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Power dissipation: 120W Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A Leakage current: 0.8µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 51A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C5 Код товару: 165219 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товар відсутній | ||||||||||||||||
IDH12G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 104W; PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 83A Leakage current: 2.4µA Power dissipation: 104W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...137mm Case: PG-TO220-2 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 104W; PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 83A Leakage current: 2.4µA Power dissipation: 104W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...137mm Case: PG-TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12G65C5 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 3622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C5XKSA2 Код товару: 177295 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товар відсутній | ||||||||||||||||
IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 81W; PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 81W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Case: PG-TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 51A Leakage current: 92µA | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12G65C6XKSA1 Код товару: 150354 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||
IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 17.1 Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V | на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 81W; PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 81W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Case: PG-TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 51A Leakage current: 92µA кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 12A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH12SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 12A; 125W; PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Power dissipation: 125W Max. forward voltage: 1.8V Load current: 12A Max. forward impulse current: 59A Max. off-state voltage: 600V Leakage current: 1µA Case: PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2 | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH12SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 12A; 125W; PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Power dissipation: 125W Max. forward voltage: 1.8V Load current: 12A Max. forward impulse current: 59A Max. off-state voltage: 600V Leakage current: 1µA Case: PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH12SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH15S120 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH15S120A | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1.2 V | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH15S120AKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH15S120AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH15S120AKSA1 - IDH15S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH15S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH15S120AKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH15S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH16G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH16G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH16G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; 250W; PG-TO220-2 Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.65V Power dissipation: 250W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 5.5µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH16G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 16A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH16G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 40A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH16G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; 250W; PG-TO220-2 Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.65V Power dissipation: 250W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 5.5µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH16G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH16G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 129W; PG-TO220-2 Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 129W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Heatsink thickness: 1.17...137mm Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3.2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 105A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH16G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 129W; PG-TO220-2 Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 129W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Heatsink thickness: 1.17...137mm Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3.2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 105A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH16G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH16G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH16G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 23 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH16G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH16G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 5430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH16G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH16G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 97W; PG-TO220-2 Mounting: THT Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 65A Leakage current: 123µA Power dissipation: 97W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Case: PG-TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.25V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH16G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 97W; PG-TO220-2 Mounting: THT Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 65A Leakage current: 123µA Power dissipation: 97W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Case: PG-TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.25V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 8511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH16G65C6XKSA1 Код товару: 150355 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||
IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 34A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH16S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 16A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH16S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH16S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DIODES | на замовлення 12585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH16S60CAKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH16S60CAKSA1 - IDH16S60C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G120C5 | Infineon technologies | на замовлення 49 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V | на замовлення 1084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDH20G120C5XKSA1 THT Schottky diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 157W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Power dissipation: 157W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward impulse current: 119A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 4.1µA | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH20G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 157W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Power dissipation: 157W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward impulse current: 119A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 4.1µA кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH20G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V | на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C6 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH20G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 26.8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: CoolSiC 6G 650V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IDH20G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 108W; PG-TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 79A Leakage current: 153µA Power dissipation: 108W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 6G; SiC Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Mounting: THT | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH20G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 108W; PG-TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 79A Leakage current: 153µA Power dissipation: 108W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 6G; SiC Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 41A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V | на замовлення 2387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDH30E120 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товар відсутній | |||||||||||||||
IDHDA12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DA SERIES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDHDBDC12 | JST Sales America Inc. | Description: TOOL HEADER ADAPTER FOR IDB-12 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDHDDDS12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DD/DS SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: DD/DS Series IDC Connectors Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDHDR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DR SERIES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDHHR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER HR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 24 AWG Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDHKR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER KR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: KR Series IDC Connectors Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDHNR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER NR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: NR Series IDC Connectors Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
IDHPREMKIT1PK | Intel | Development Software | товар відсутній | |||||||||||||||
IDHSR20 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER SR SERIES Packaging: Box For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 30 AWG Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDHVR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER VR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: VR Series IDC Connectors Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDHZR(F)20 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER ZR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 28-30 AWG Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|