![IDH08G65C6XKSA1 IDH08G65C6XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/10/24/17/29/45/335656/smn_/manual/infineon-package-to-220-real2pin.jpg_1856028782.jpg)
IDH08G65C6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH08G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IDH08G65C6XKSA1 за ціною від 106.49 грн до 292.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDH08G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDH08G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDH08G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 418 шт: термін постачання 317-326 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IDH08G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|