![IDH02G65C5XKSA2 IDH02G65C5XKSA2](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2013/12/10/9/15/55/571/smn_/manual/idp08e65d2xksa1.jpg)
IDH02G65C5XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH02G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A.
Інші пропозиції IDH02G65C5XKSA2 за ціною від 36.68 грн до 108.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDH02G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDH02G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|