Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDH10SG60CXKSA2
IDH10SG60CXKSA2

IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies

idh10sg60c_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V.

Інші пропозиції IDH10SG60CXKSA2 за ціною від 182.04 грн до 621.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDH10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011ff4d3f3a2532e Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+401.44 грн
50+ 306.53 грн
100+ 262.74 грн
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 Виробник : Infineon Technologies idh10sg60c_rev2.3.pdf 3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+406.84 грн
10+ 373.63 грн
25+ 361.53 грн
50+ 321.99 грн
100+ 279.77 грн
250+ 251.01 грн
500+ 226.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDH10SG60C_DS_v02_04_en-1131046.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+436.24 грн
10+ 341.1 грн
100+ 254.43 грн
250+ 251.62 грн
500+ 225.62 грн
1000+ 182.04 грн
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 Виробник : INFINEON Infineon-IDH10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011ff4d3f3a2532e Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+511.71 грн
10+ 391.87 грн
100+ 298.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 Виробник : Infineon Technologies idh10sg60c_rev2.3.pdf 3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+514.95 грн
27+ 462.87 грн
28+ 434.67 грн
50+ 392.64 грн
100+ 338.37 грн
250+ 300.66 грн
Мінімальне замовлення: 24
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 Виробник : Infineon Technologies idh10sg60c_rev2.3.pdf 3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+621.93 грн
27+ 453.89 грн
50+ 402.66 грн
100+ 364.57 грн
200+ 318.35 грн
500+ 284.54 грн
1000+ 266.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 Виробник : Infineon Technologies idh10sg60c_rev2.3.pdf 3rd Generation SiC Schottky Diode
товар відсутній
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 Виробник : Infineon Technologies idh10sg60c_rev2.3.pdf 3rd Generation SiC Schottky Diode
товар відсутній