![IDH15S120AKSA1 IDH15S120AKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4846/448_TO-220-2.jpg)
IDH15S120AKSA1 Infineon Technologies
![fundamentals-of-power-semiconductors](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 872.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH15S120AKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDH15S120AKSA1 за ціною від 950.88 грн до 950.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDH15S120AKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
IDH15S120AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IDH15S120AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
|||||
IDH15S120AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |