![IDH10G120C5XKSA1 IDH10G120C5XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2013/12/10/9/15/55/571/smn_/manual/idp08e65d2xksa1.jpg)
IDH10G120C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH10G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDH10G120C5XKSA1 за ціною від 182.62 грн до 442.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDH10G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V |
на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDH10G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDH10G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 165W; PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 165W Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A Leakage current: 4µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 99A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IDH10G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 165W; PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 165W Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A Leakage current: 4µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 99A |
товар відсутній |