IDH12SG60CXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 156.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH12SG60CXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 19nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IDH12SG60CXKSA2 за ціною від 240.44 грн до 517.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH12SG60CXKSA2 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH12SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH12SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|