IDH03SG60CXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 164.59 грн |
| 10+ | 134.66 грн |
| 100+ | 93.82 грн |
| 500+ | 75.48 грн |
| 2500+ | 72.66 грн |
| 5000+ | 61.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH03SG60CXKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V.
Інші пропозиції IDH03SG60CXKSA2 за ціною від 83.77 грн до 182.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH03SG60CXKSA2 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IDH03SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDH03SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Generation thinQ SiC Schottky Diode |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IDH03SG60CXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 3A; 38W; TO220-2 Max. forward impulse current: 9.7A Power dissipation: 38W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: THT Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 2.8V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IDH03SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IDH03SG60CXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 3A; 38W; TO220-2 Max. forward impulse current: 9.7A Power dissipation: 38W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: THT Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 2.8V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode |
товар відсутній |