Продукція > 2N7
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N700 | MOTOROLA | на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N700/18 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 24130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 27645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | на замовлення 9344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 64694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 0.2A 0.4W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | DIOTEC | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC | на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 124000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 ohm | на замовлення 102394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7000 Код товару: 20638 | NXP | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/- Монтаж: THT | у наявності 1239 шт: 1147 шт - склад32 шт - РАДІОМАГ-Київ 18 шт - РАДІОМАГ-Львів 16 шт - РАДІОМАГ-Харків 15 шт - РАДІОМАГ-Одеса 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 8410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 Код товару: 200238 | CJ | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ Монтаж: THT | у наявності 883 шт: 791 шт - склад23 шт - РАДІОМАГ-Київ 25 шт - РАДІОМАГ-Львів 44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | EDU-2N7000 SMD N channel transistors | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced | на замовлення 23130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diodes Incorporated | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | DIOTEC | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | onsemi | Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 38980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 23130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 64694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 8452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | LGE | N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6670 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 129302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N | на замовлення 5661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 Код товару: 182880 | ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: THT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9344 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 8452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | NTE Electronics, Inc. | N-Ch, Enhancement Mode Field Effect Transistor | на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7000 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Microchip Technology | MOSFETs 60V 5Ohm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | Fairchild Semiconductor | Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 | на замовлення 306 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000 | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3 | на замовлення 10 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000 AMO | NXP Semiconductors | MOSFETs TRENCH 31V-99V G2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000,126 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000,126 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-AP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA | на замовлення 29489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1530 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 20427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 115726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA | на замовлення 30098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D74Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 2028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA | на замовлення 4553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1216 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 1216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-D75Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | MOSFETs 60V 5Ohm | на замовлення 9231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.2A Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 804 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.2A Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | на замовлення 804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 7841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 11025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000-G Код товару: 182408 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7000-TA | Vishay | Vishay USE 2N7000KL-TR1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000-TR1 | Vishay | Vishay USE 2N7000KL-TR1-E3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N70002 Код товару: 53073 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N70002 | NXP | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7000; 190mA; 60V; 250mW; N-MOSFET; Корпус: TO-92; NXP | на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
2N7000BU | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 7484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000BU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 27383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000BU | ON-Semicoductor | N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000BU (bulk) 2N7000 FAIRCHILD T2N7000 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 7484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000BU | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig | на замовлення 37425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000BU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000BU | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000BU | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000BU_T | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000CSM | Semelab | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000CSM-JQR-A | Semelab | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000CSM.01 | Welwyn Components / TT Electronics | MOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000G | onsemi | MOSFETs 60V 200mA N-Channel | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000K | Rectron | TO-92 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000KL-TR1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.47A 3-Pin TO-226AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000L Код товару: 175310 | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,15 mA Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 20 / Монтаж: THT | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7000PSTOA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRA | ON | 05+06+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7000RLRAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRMG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRMG | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7000RLRMG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRPG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000RLRPG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000TA | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1330 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7000TA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 2323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig | на замовлення 6166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced | на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA Код товару: 173012 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7000TA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 58000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7000TA+ | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7000_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001 | на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7001 | Vishay | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | на замовлення 1722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Description: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SC-70-5 Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | на замовлення 1722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Translation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter 5-SC70 -40 to 125 | на замовлення 16309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TDCKR Код товару: 162137 | Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Description: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SC-70-5 Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 32441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TDCKR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Description: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8) Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Description: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8) Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Translation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter 5-X2SON -40 to 125 | на замовлення 6669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TDPWR-S | Texas Instruments | Description: PROTOTYPE Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8) Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TEVM | Texas Instruments | Description: DEVELOPMENT INTERFACE Packaging: Bulk Function: Level Shifter Type: Interface Utilized IC / Part: 2N7001T Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TEVM | Texas Instruments | 2N7001T Level Translator Evaluation Board | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TEVM | Texas Instruments | Other Development Tools 2N7001TEVM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TEVM | Texas Instruments | 2N7001T Level Translator Evaluation Board | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Translation - Voltage Levels Automotive 1-bit dual-supply buffered voltage signal translator 5-SC70 -40 to 125 | на замовлення 35141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Description: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SC-70-5 Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 42397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Description: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SC-70-5 Channel Type: Unidirectional Output Signal: CMOS Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Input Signal: CMOS Part Status: Active Number of Circuits: 1 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7001TQDCKRQ1 | Texas Instruments | Voltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 125899 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 97715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2931000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 Код товару: 179822 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | на замовлення 1755000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT 2N7002E-T1-E3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | Yangjie Electronic Technology | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | на замовлення 990000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | NTE Electronics, Inc. | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | DIOTEC | Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 5950 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 612672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 On-state resistance: 3.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | на замовлення 1755000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diodes Incorporated | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002 | LGE | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N | на замовлення 146397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 | на замовлення 1045 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 125899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2931000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 671999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 8910 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | onsemi | Description: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1280741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 Volt 0.20 A 1.8 Ohm STripFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 4850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd. | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 | на замовлення 45094 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 126600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 On-state resistance: 3.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 555000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 30350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Infineon Technologies | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | NTE Electronics, Inc. | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | LGE | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-CHANNEL 60V 115mA | на замовлення 334391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 612672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 41999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | MLCCBASE | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | onsemi | Description: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1272000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | Microchip Technology | MOSFETs 60V 7.5Ohm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 | PanJit International | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 | на замовлення 7 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 (Hottech, SOT-23-3) Код товару: 47271 | Hottech | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: SMD | у наявності 7427 шт: 7361 шт - склад66 шт - РАДІОМАГ-Харків очікується 200 шт: 200 шт - очікується |
| ||||||||||||||||||
2N7002 BK PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Box Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 BK PBFREE | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 Box | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 BK PBFREE | Central Semiconductor | MOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 | на замовлення 10801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 T/R | PANJIT | 0604+ | на замовлення 1399 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor | MOSFETs N-Ch 60V .2A | на замовлення 360655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 231398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | MOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor | MOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs | на замовлення 46355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002 TR13 TIN/LEAD | Central Semiconductor | MOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 115mA 350mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002(12P) | PHILIPS | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002(702) | на замовлення 548 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 977345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 46211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2052000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 249000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 46211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1080000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2052000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 977345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 553288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | MOSFETs 2N7002/SOT23/TO-236AB | на замовлення 977009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 0,3 А; Ptot, Вт = 0,83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Rds = 5 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -65...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 | на замовлення 1440 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2052000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1080000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 552000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 249000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia | MOSFETs 2N7002/SOT23/TO-236AB | на замовлення 21019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 6780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002,235 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002,235 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-01-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 4726 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 4726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13-F-79 | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 200mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 267000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7002,215 2N7002-T1-E3 2N7002TA 2N7002-7-F DIODES T2N7002 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 71357 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: 0 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFET N Channel Transistors productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F Код товару: 170068 | Diodes | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V 200mW | на замовлення 253563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 271685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5912 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 268270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 271685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F Код товару: 186256 | CJ | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Монтаж: SMD | у наявності 2295 шт: 1864 шт - склад54 шт - РАДІОМАГ-Київ 30 шт - РАДІОМАГ-Львів 200 шт - РАДІОМАГ-Харків 48 шт - РАДІОМАГ-Одеса 99 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes INC. | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,37; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 | на замовлення 685 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 5912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F-50 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F-79 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-7-F. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: 0 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-7-F; 210mA; 60V; 0,3W; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIODES Inc. | на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
2N7002-7-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-CT | Analog Power Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 15 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-D87Z | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-D87Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-D87Z | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-D87Z | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect | на замовлення 5087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-F169 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-F169 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-F2-0000HF | YY | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | MOSFETs 60V 7.5Ohm | на замовлення 20847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 10930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | onsemi | MOSFETs FET 60V 5.0 OHM | на замовлення 224470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.5A Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Comchip Technology | MOSFETs BVDD=60V ID=200mA | на замовлення 70927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Comchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.5A Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-HF | Comchip Technology | MOSFETs 0.25A 60V N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 5195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-HF | Comchip Technology | N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-HF | Comchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-HF | Comchip Technology | N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-HF | Comchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | на замовлення 13098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-L | на замовлення 87000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7002-L T/R | DIODES | 0841+ | на замовлення 87000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-LT/R | PANJIT | SOT-23 08+ | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-MTF | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7002-NL | FIARCHILD | 07+ | на замовлення 3010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-T1 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1 Код товару: 15283 | Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-2N7002K-GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 14227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 0.115A 0.2W | на замовлення 554832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 4844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V | на замовлення 595860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 80mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1779 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 80mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 1779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 6090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-T1/72 | VISHAY | на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002-T1/72KBL | SI | на замовлення 2918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002-T1/72N | SILICONIX | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002-T2 | Vishay | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 86882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components Corp. | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs 60V, 115mA | на замовлення 256417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 54040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 86000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 759000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 54040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components Corp. | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002-TP (2N7002-7-F) Код товару: 39940 | MCC | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP-B014 | Micro Commercial Components (MCC) | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP-HF | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP-HF | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP-HF | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.08W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TP-HF | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002-TR | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002.215 | n-канальний польовий транзистор SOT-23 | на замовлення 14670 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||||
2N7002.215 Код товару: 73129 | NXP | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-236AB Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002/12P | PHILIPS | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002/12W | PHILIPS | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002/7002 | 07+ SOT-23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002/702 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7002/G | PHILIPS | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002/HAMR - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3579000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 47440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | NEXPERIA | 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 48698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | MOSFETs 2N7002/SOT23/TO-236AB | на замовлення 29667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002/S711215 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002702 | FAIRCHILD | 00+ 23 | на замовлення 5300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002; 280mA; 60V; 350mW; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIOTEC | на замовлення 688 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | 2N7002A | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | KEC | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА; SOT-23-3 | на замовлення 84 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A Код товару: 161144 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 5925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N | на замовлення 14282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 4448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 11275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 11275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 370mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | на замовлення 106733 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | на замовлення 179638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-AQ | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N, AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-AQ | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-RTK/P | KEC | SOT23 | на замовлення 8770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002A-TP | Micro Commercial Co | Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 759000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A-TP | Micro Commercial Co | Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 2744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch 60Vds 30Vgs 40Vgsm 115mA 300mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002A/7002 | N/A | 08+ SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002AK | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AK | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AK | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AK-QR | Nexperia | N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AK-QR | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA Power Dissipation (Max): 320mW Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AK-QR | Nexperia | MOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT23/TO-236AB | на замовлення 7974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AK-QR | Nexperia | N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AK-QR | NEXPERIA | N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AK-QR | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA Power Dissipation (Max): 320mW Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AKS-QX | Nexperia | MOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT363/SC-88 | на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AKS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AKS-QX | Nexperia | N-channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AKS-QX | NEXPERIA | N-channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AKS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AKS-QX | Nexperia | N-channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AKW-QX | Nexperia | N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AKW-QX | NEXPERIA | N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AKW-QX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AKW-QX | Nexperia | N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AKW-QX | Nexperia | MOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT323/SC-70 | на замовлення 8130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AKW-QX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AKW-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002AKW-QX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family | на замовлення 13919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry | на замовлення 5249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1515295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1610000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5249 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1510000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1704000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2433000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1671000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2172000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2754000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1704000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2439000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3033000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2079000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2076000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3270756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1665000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1713000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family | на замовлення 76439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002B-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BK | Nexperia | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BK Код товару: 73117 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 13467 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 | на замовлення 4470 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 258000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 318000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 154049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 780484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 13467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NXP | Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, 350 mA | на замовлення 2545 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | MOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB | на замовлення 1475086 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 318000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NXP | Trans MOSFET N-CH 60V 0.350A 2N7002BK T2N7002bk кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 5500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 154049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 775000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 318000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKM,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKM,315 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKM/V,315 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL SIGNA Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKM/VYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKM315 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL S Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKMB,315 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKMB,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKS | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 251233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 28119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 28119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Nexperia | MOSFETs 2N7002BKS/SOT363/SC-88 | на замовлення 25189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | NXP | 2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1720 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKS.115 Код товару: 109130 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7002BKS/DG/B2115 | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKS/ZLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKSH | Nexperia USA Inc. | Description: 2N7002BKS/SOT363/SC-88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKSH | Nexperia | MOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT363/SC-88 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKSH | Nexperia USA Inc. | Description: 2N7002BKS/SOT363/SC-88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKSH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKT,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKT,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.29A Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKT,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 38434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 7568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 19615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | MOSFETs NRND for Automotive Applications 2N7002BKV/SOT666/SOT6 | на замовлення 100583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 7568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 19615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.525W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.525W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKV/DG/B2115 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKVL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 12214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 12214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 192456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 192482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | Nexperia | MOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB | на замовлення 195246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 192482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 26623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 22230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 14421 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 275mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 22230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 310 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Qg, нКл = 0,6; Rds = 1.6 @ 500mA, 10V Ом; Ugs(th) = 2,1 @ 250µA В; Р, Вт = 0,275 (Ta); Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323 | на замовлення 6 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | MOSFETs 2N7002BKW/SOT323/SC-70 | на замовлення 49079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 14421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW; 2N7002BKW,115 T2N7002bkw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 275mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 49171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002CK | NXP | N-MOSFET 60V 300mA 350mW 2N7002CK,215 T2N7002ck кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002CK | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CK | Nexperia Inc. | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 | на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002CK | Nexperia USA Inc. | Description: 2N7002 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFE Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | Nexperia | MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | NXP | Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 | на замовлення 2935 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CK,215 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 55 @ 25; Qg, нКл = 1,3 @ 4,5 В; Rds = 1,6 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 | на замовлення 4284 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002CKVL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CKVL | Nexperia | MOSFET 60V N-CHANNEL 0.3A | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002CKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002CSM | Semelab | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin CLLCC-1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002CSM-QR-EBC | Semelab | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin LCC-1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002D87Z | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DS6 | Rectron USA | Description: MOSFET 2 N-CH 60V 250MA SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363-6L Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 123247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 221826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect | на замовлення 164848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 221846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW Код товару: 174754 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7002DW H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | на замовлення 170156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW K72.. | DIODES/ZETEX | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002DW-7-F 2N7002DW T2N7002dw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-13-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 200mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Discontinued at Digi-Key | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Discontinued at Digi-Key | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 191355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Power dissipation: 0.12W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 131750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Power dissipation: 0.12W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 191350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F Код товару: 143738 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V 200mW | на замовлення 369673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 131861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F-79 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-7-F. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002DW-7-F. - MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115mA, SOT-363-6 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: 0 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0 MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0 Verlustleistung, p-Kanal: 0 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET, N Channel Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0 productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Verlustleistung, n-Kanal: 0 Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 13053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-7-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Last Time Buy | на замовлення 5144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-G | onsemi | MOSFET FET 60V 2.0 MOHM | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 1162140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 261000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 1158000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET Dual N-CH 60V 115mA | на замовлення 38363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DW-TPQ2 | Micro Commercial Components | Dual N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-TPQ2 | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW-TPQ2 | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DW1T1G | LRC | SOT363 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002DW1T1G | ON | SOT-363 05+ | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002DWA-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWA-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWA-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWAQ-7 | Diodes Inc | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWAQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWAQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWAQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | на замовлення 14679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | на замовлення 77102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 121325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 177325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 121325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active | на замовлення 84585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWK-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWK-13 | Diodes Inc | 2N7002 Family SOT363 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWK-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWK-7 | Diodes Inc | 2N7002 Family SOT363 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWK-7 | Diodes Zetex | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K | на замовлення 5452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 2834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWKX-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWKX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWL-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 225mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6L Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWL-TP | Micro Commercial Components | Dual N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWL-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET Dual N-CHANNEL MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWL6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 10K | на замовлення 9879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-13-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-13-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-13-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.31W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A | на замовлення 208817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 42777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.31W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002DWQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWS-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWS-7 | Diodes Zetex | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002DWS-7 | Diodes Inc | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002DWT/R | PANJIT | SOT-363 09+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002E | onsemi | MOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E | Panasonic Electronic Components | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E | NXP | SOT23/SOT323 | на замовлення 1772 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002E | Diodes Incorporated | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E | Panasonic | MOSFETs Nch MOSFET 60V 0.3A RDS(on)=3ohms SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E | Panasonic Electronic Components | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E | SILICONIX | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002E | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT 2N7002E-T1-E3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.385A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E,215 | Nexperia | MOSFETs TAPE7 MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Channel | на замовлення 29094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 12766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 370mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2N7002E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 14321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2810 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2N7002E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 14321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-7-F-79 | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E-7-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E-T1 SOT23-7E | VISHAY | на замовлення 1698 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 1394018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | VISHAY | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | на замовлення 3776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 0.24A | на замовлення 411275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 187460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - 2N7002E-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | VISHAY | 2006 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.3A Power dissipation: 0.22W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.3A Power dissipation: 0.22W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 Код товару: 167495 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V | на замовлення 175149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | на замовлення 15103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002EDWT/R | PANJIT | SOT-363 09+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002EPT | 06+ SOT-323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002EQ-13-F | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002EQ-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002EQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002EQ-7-F | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002EQ-7-F | Diodes Inc | 2N7002 Family SOT23 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002EQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET1 | на замовлення 5580315 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
2N7002ET1G | onsemi | MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms | на замовлення 618877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 28216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V | на замовлення 377619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 28216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3 | на замовлення 20 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V | на замовлення 375000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 88645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET1G | ON-Semicoductor | N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002ET1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 5599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 88645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5599 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002ET3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002ET7G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET7G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET7G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002ET7G | onsemi | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 310mA, 2.5 ohm | на замовлення 456258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET7G | ONS | Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, Id=0.18A, Rds=5Ohm, Vgs=3V, P=0.25W, smd. | на замовлення 3633 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002ET7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002ET7G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 25404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002EW | AnBon | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C; 2N7002EW T2N7002EW ANB кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002EY | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V | на замовлення 5384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002EY | Anbon Semiconductor | 2N7002EY | на замовлення 258000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002EY | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002F | PHILIPS | 0551+ | на замовлення 2147 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002F | NXP | 08+ROHS SOT-23 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
2N7002F,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 475mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002F,215 | Nexperia | MOSFETs N-CH TRNCH 60V .475A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002F,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 475mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002F,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.475A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002H | SOT23/SOT323 | на замовлення 913 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
2N7002H | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002H | Nexperia | MOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002H-13 | Diodes Inc | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002H-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002H-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002H-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002H-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
2N7002H-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - 2N7002H-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002H-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1275000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002H-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
2N7002H-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|