на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1252+ | 9.64 грн |
2500+ | 8.82 грн |
5000+ | 8.68 грн |
7500+ | 8.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7000BU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N7000BU за ціною від 5.15 грн до 30.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7000BU | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
на замовлення 7684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000BU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 27383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000BU | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
на замовлення 7684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000BU | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig |
на замовлення 37631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000BU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000BU | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000BU (bulk) 2N7000 FAIRCHILD T2N7000 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000BU | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000BU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000BU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |