![2N7002BK,215 2N7002BK,215](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/2/10/11/33/44/847541/nexpe_/manual/nxv65upr.jpg)
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002BK,215 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції 2N7002BK,215 за ціною від 1.35 грн до 18.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 777720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 19219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 19219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 153049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1476190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 153049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 13467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13467 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BK,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 780469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Виробник : NXP |
![]() |
на замовлення 2545 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4470 шт: термін постачання 5 дні (днів) |